[發明專利]蓋板托盤組件及半導體設備的工藝腔室

在審

• 申請號: 202010751177.0
• 申請日: 2020-07-30
• 公開（公告）號: CN111863702A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 張君;劉珊珊;王春
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/67;H01L33/00;H01L33/20
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

本發明提供一種蓋板托盤組件及半導體設備的工藝腔室，包括：托盤主體、蓋板及中間介質，其中：托盤主體用于承載晶片；蓋板設置于托盤主體上，在蓋板上設置有壓合部，壓合部與晶片的邊緣接觸；中間介質設置于托盤主體與蓋板之間，且中間介質的上表面和下表面分別與蓋板和托盤主體接觸，用于使托盤主體與蓋板之間形成一空間，以能夠降低壓合部與晶片之間的電勢差。應用本申請，可以降低壓合部上表面與晶片上表面的鞘層電勢差，從而降低壓合部和晶片的連接處形成的電場偏轉程度，避免造成現有技術中晶片壓爪區域發生底部黏連，導致底寬過大、靠近壓爪邊緣圖形對稱性差等，繼而有效改善了PPS工藝過程中的邊緣形貌問題。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體地，涉及一種的蓋板托盤組件及半導體設備的工藝腔室。

背景技術

圖形化襯底技術(Patterned Sapphire Substrates，PSS)是目前普遍采用的一種提高氮化鎵(GaN)基LED器件出光效率的方法，也就是在藍寶石襯底上生長干法刻蝕用掩膜，用標準的光刻工藝將掩膜刻出圖形，利用電感耦合等離子體Inductively CoupledPlasma，ICP)刻蝕技術刻蝕藍寶石，并去掉掩膜，再在其上生長GaN材料，使GaN材料的縱向外延變為橫向外延。該方法可以有效減少GaN外延材料的位錯密度，從而減小了有源區的非輻射復合，減小了反向漏電流，提高了LED的壽命。有源區發出的光，經由GaN和藍寶石襯底界面多次散射，改變了全反射光的出射角，從而提高了光的提取效率。

現有技術中，通常采用包括托盤主體和蓋板的蓋板托盤組件進行PSS工藝，其中，托盤主體具有放置晶片的晶片槽，蓋板底部具有壓爪，壓爪用于固定晶片，防止晶片由于背氦的吹里作用而發生移動。而對于圓錐形的PSS工藝，其參數指標通常要求高度為1.75～1.85um(微米)，底寬為2.7～2.85um，邊緣0.5以內不黏連。但是，采用現有的托盤及PPS工藝，得到的圖形在晶片壓爪區域經常發生底部黏連的現象，導致底寬(底寬＝3.0um)過大，靠近壓爪邊緣圖形對稱性很差(兩邊分別距中線的距離相差約800nm，兩段距離差越大對稱性越差)，出現外延霧化現象等，從而造成了較大的邊緣形貌問題。

鑒于此，亟需一種新的蓋板托盤組件以改善上述PSS工藝后出現的晶片邊緣形貌問題。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種的蓋板托盤組件及半導體設備的工藝腔室，可以改善現有技術中PSS工藝后晶片的邊緣形貌問題。

為實現本發明的目的，第一方面提供一種蓋板托盤組件，包括：托盤主體、蓋板及中間介質，其中：

所述托盤主體用于承載晶片；

所述蓋板設置于所述托盤主體上，且所述蓋板上設置有壓合部，所述壓合部與所述晶片的邊緣接觸；

所述中間介質設置于所述托盤主體與所述蓋板之間，且所述中間介質的上表面和下表面能夠分別與所述蓋板和所述托盤主體接觸，用于使所述托盤主體與所述蓋板之間形成一空間，以降低所述壓合部與所述晶片之間的電勢差。

可選地，所述空間內含有氣體，在所述托盤主體與所述蓋板之間形成第一電容。

可選地，所述中間介質包括至少一個墊片。

可選地，所述蓋板上開設有密封圈槽，所述密封圈槽內設置有用于密封所述空間的密封圈。

可選地，所述第一電容的取值范圍為50pF～1000pF。

可選地，所述中間介質為絕緣材質，其厚度的取值范圍為3mm～10mm。

可選地，所述密封圈槽位于距離所述蓋板的邊緣3毫米-6毫米范圍內。

為實現本發明的目的，第二方面提供一種蓋板托盤組件，包括：托盤主體、蓋板及中間介質，其中：