[發(fā)明專(zhuān)利]一種讀操作處理方法、裝置及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010750795.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-07-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111863098B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-10-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 萬(wàn)紅波;陳祥;林格;楊亞飛 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 深圳大普微電子科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G11C16/26 | 分類(lèi)號(hào): | G11C16/26 |
| 代理公司: | 深圳市深佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 陳彥如 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍崗*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 操作 處理 方法 裝置 可讀 存儲(chǔ) 介質(zhì) | ||
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種讀操作處理方法、裝置及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。本申請(qǐng)公開(kāi)的方法包括:記錄對(duì)目標(biāo)地址進(jìn)行讀操作的操作信息;讀操作包括執(zhí)行成功的重讀操作和正常讀操作;基于操作信息統(tǒng)計(jì)目標(biāo)地址發(fā)生重讀操作的概率;根據(jù)概率調(diào)整目標(biāo)地址的參考電壓偏移值。本申請(qǐng)能夠根據(jù)目標(biāo)地址上發(fā)生重讀操作的概率給目標(biāo)地址賦合適的參考電壓偏移值,從而可提高讀命中率,減少遍歷retry表的次數(shù)和重讀操作發(fā)生的概率,也不會(huì)因?yàn)橹刈x操作較多影響讀寫(xiě)IO的性能,從而提高了固態(tài)硬盤(pán)性能。相應(yīng)地,本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N讀操作處理裝置及可讀存儲(chǔ)介質(zhì),也同樣具有上述技術(shù)效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種讀操作處理方法、裝置及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。
背景技術(shù)
目前,固態(tài)硬盤(pán)一般基于Nand flash進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取。若數(shù)據(jù)讀取失敗,那么可利用retry表嘗試重讀。retry表可以由固態(tài)硬盤(pán)的廠商提供,其中記錄著用于讀取數(shù)據(jù)的參考電壓偏移值。
在現(xiàn)有技術(shù)中,若數(shù)據(jù)讀取失敗,則需要對(duì)retry表進(jìn)行遍歷,以獲得可讀數(shù)據(jù)的參考電壓偏移值進(jìn)行重讀操作。并且,當(dāng)某個(gè)地址上出現(xiàn)重讀操作后,下一次要讀取該地址上的數(shù)據(jù),仍需要執(zhí)行重讀操作。也就是需要重復(fù)遍歷retry表,遍歷retry表對(duì)讀寫(xiě)IO的性能有很大的影響,如果頻繁出現(xiàn)重讀,甚至?xí)霈F(xiàn)因?yàn)镮O超時(shí)而使固態(tài)硬盤(pán)故障。
因此,如何減少遍歷retry表的次數(shù)和重讀操作發(fā)生的概率,提高固態(tài)硬盤(pán)性能,是本領(lǐng)域技術(shù)人員需要解決的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本申請(qǐng)的目的在于提供一種讀操作處理方法、裝置及可讀存儲(chǔ)介質(zhì),以減少遍歷retry表的次數(shù)和重讀操作發(fā)生的概率,提高固態(tài)硬盤(pán)性能。其具體方案如下:
第一方面,本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N讀操作處理方法,包括:
記錄對(duì)目標(biāo)地址進(jìn)行讀操作的操作信息;所述讀操作包括執(zhí)行成功的重讀操作和正常讀操作;
基于所述操作信息統(tǒng)計(jì)所述目標(biāo)地址發(fā)生重讀操作的概率;
根據(jù)所述概率調(diào)整所述目標(biāo)地址的參考電壓偏移值。
優(yōu)選地,所述記錄對(duì)目標(biāo)地址進(jìn)行讀操作的操作信息,包括:
若所述讀操作為執(zhí)行成功的重讀操作,則記錄所述目標(biāo)地址,是否重讀的標(biāo)志位以及所述重讀操作執(zhí)行成功時(shí)從retry表中讀取的電壓值;
若所述讀操作為正常讀操作,則記錄所述目標(biāo)地址和是否重讀的標(biāo)志位。
優(yōu)選地,所述記錄對(duì)目標(biāo)地址進(jìn)行讀操作的操作信息,包括:
記錄所述操作信息至預(yù)設(shè)循環(huán)鏈表,所述預(yù)設(shè)循環(huán)鏈表以滑動(dòng)窗口記錄N個(gè)操作信息。
優(yōu)選地,所述基于所述操作信息統(tǒng)計(jì)所述目標(biāo)地址發(fā)生重讀操作的概率,包括:
基于記錄的所有操作信息統(tǒng)計(jì)所述目標(biāo)地址發(fā)生重讀操作的概率;
或者
基于預(yù)設(shè)時(shí)間段內(nèi)記錄的操作信息統(tǒng)計(jì)所述目標(biāo)地址發(fā)生重讀操作的概率;
或者
基于最近記錄的M個(gè)操作信息統(tǒng)計(jì)所述目標(biāo)地址發(fā)生重讀操作的概率。
優(yōu)選地,所述根據(jù)所述概率調(diào)整所述目標(biāo)地址的參考電壓偏移值,包括:
若所述目標(biāo)地址為die地址,且所述概率大于預(yù)設(shè)閾值,則將所述參考電壓偏移值更改為所述操作信息中記錄的最近一次重讀操作執(zhí)行成功時(shí)從retry表中讀取的電壓值;
或者
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于深圳大普微電子科技有限公司,未經(jīng)深圳大普微電子科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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