[發明專利]存儲裝置及其操作方法

在審

• 申請號: 202010749328.9
• 申請日: 2020-07-30
• 公開（公告）號: CN112306398A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 丁相元;權珉徹
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉林果;尹淑梅

提供存儲裝置及其操作方法。該操作方法包括：存儲包括目標節流性能與關于工作負載特性的信息之間的關系的節流預定義表(PDT)；檢測工作負載特性中的第一工作負載特性的值在存儲裝置的操作期間已經改變；確定是否更新節流PDT；當確定更新節流PDT時，監視存儲裝置的性能以計算監視性能；基于包括計算的監視性能和第一工作負載特性的改變后的值的第一信息將節流PDT更新為包括附加目標節流性能值和用于工作負載特性的至少一個新值；基于更新的節流PDT控制操作參數使接口通道具有與附加目標節流性能值對應的第一節流性能；通過具有第一節流性能的接口通道接收第一輸入/輸出(I/O)請求；通過具有第一節流性能的接口通道處理與第一I/O請求對應的第一操作。

本申請要求于2019年8月2日在韓國知識產權局提交的第10-2019-0094231號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的公開內容通過引用全部包含于此。

技術領域

在此描述的發明構思的實施例涉及一種半導體存儲器，更具體地，涉及一種存儲裝置及其操作方法。

背景技術

半導體存儲器裝置被分類為存儲的數據在斷電時消失的易失性存儲器裝置(諸如靜態隨機存取存儲器(SRAM)或動態隨機存取存儲器(DRAM))或者存儲的數據即使在斷電時也被保留的非易失性存儲器裝置(諸如閃存裝置、相變RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)或鐵電RAM(FRAM))。

正在廣泛地使用閃存裝置作為計算系統的高容量存儲介質。由于閃存的物理特性(例如，在擦除之后寫入)，在存儲介質中執行了用于管理基于閃存的高容量存儲介質的各種管理操作。基于閃存的高容量存儲介質的性能會由于管理操作而改變。

發明內容

發明構思的實施例提供了一種具有改善的性能的存儲裝置及其操作方法。

根據一些實施例，一種被配置為通過接口通道與外部裝置通信的存儲裝置的操作方法包括多個步驟。所述步驟包括：存儲節流預定義表(PDT)，節流PDT包括多個目標節流性能與關于多個工作負載特性的信息之間的關系；檢測所述多個工作負載特性中的第一工作負載特性的值在存儲裝置的操作期間已經改變；確定是否更新節流PDT；當確定更新節流PDT時，監視存儲裝置的性能以計算監視性能；基于第一信息將節流PDT更新為包括附加目標節流性能值和用于工作負載特性的至少一個新值，第一信息包括計算得到的監視性能和第一工作負載特性的改變后的值；基于更新后的節流PDT控制操作參數，使得接口通道具有與附加目標節流性能值對應的第一節流性能；通過具有第一節流性能的接口通道從外部裝置接收第一輸入/輸出(I/O)請求；以及通過具有第一節流性能的接口通道來處理與第一I/O請求對應的第一操作。

根據一些實施例，一種被配置為通過接口通道與外部裝置通信的存儲裝置的操作方法包括：基于包括多個目標節流性能值與用于多個工作負載特性的特定值集合之間的關系的節流預定義表(PDT)，從所述多個目標節流性能值之中確定與用于所述多個工作負載特性的當前值對應的第一目標節流性能值；設定第一操作參數，使得接口通道具有與第一目標節流性能值對應的第一節流性能；通過具有第一節流性能的接口通道來處理從外部裝置接收的第一輸入/輸出(I/O)請求；當所述多個工作負載特性中的至少一個的值已經改變時，重置至少一個操作參數，使得接口通道具有不節流情況下的正常性能，并且監視存儲裝置的正常性能，以計算監視性能；以及基于所述多個工作負載特性中的所述至少一個的改變后的值和計算得到的監視性能，將節流PDT更新為包括用于所述多個工作負載特性的新值集合和對應的附加目標節流性能值。