[發明專利]用于PECVD設備的原位清洗方法及對應的PECVD設備

在審

• 申請號: 202010749081.0
• 申請日: 2020-07-30
• 公開（公告）號: CN111850510A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 吳科俊;張津燕;馬哲國;陳金元
• 申請（專利權）人: 上海理想萬里暉薄膜設備有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/505
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于PECVD設備的原位清洗方法，所述PECVD設備包括反應腔室和射頻發生器，所述方法包括以下步驟：

第一步驟，向所述反應腔室通入含氟清洗氣體，將所述反應腔室的壓強調節至第一壓強，開啟所述射頻發生器并持續第一預設時間；

第二步驟，持續向所述反應腔室通入含氟清洗氣體，將所述反應腔室的壓強調節至第二壓強，保持所述射頻發生器持續開啟第二預設時間；

第三步驟，持續向所述反應腔室通入含氟清洗氣體，將所述反應腔室的壓強調節至第三壓強，保持所述射頻發生器持續開啟第三預設時間；

第四步驟，持續向所述反應腔室通入含氟清洗氣體，將所述反應腔室的壓強調節至第四壓強，保持所述射頻發生器持續開啟第四預設時間；以及

第五步驟，持續向所述反應腔室通入含氟清洗氣體，將所述反應腔室的壓強調節至第五壓強，保持所述射頻發生器持續開啟第五預設時間；

其中所述第一壓強、第二壓強、第三壓強、第四壓強和第五壓強從大到小依次減小。

2.根據權利要求1所述的原位清洗方法，其特征在于，所述第一壓強為0.55mbar～小于0.65mbar，所述第二壓強為0.45mbar～小于0.55mbar，所述第三壓強為0.35mbar～小于0.45mbar；所述第四壓強為0.25mbar～小于0.35mbar；所述第五壓強為0.15mbar～小于0.25mbar。

3.根據權利要求1所述的原位清洗方法，其特征在于，在所述第一步驟至第五步驟中，通過所述射頻發生器將含氟清洗氣體電離成含氟等離子體，所述含氟等子體與覆蓋在所述反應腔室內壁和設置在所述反應腔室內的載板表面上的硅膜層發生反應，所述反應腔室內壁和載板表面的面積總和不小于500mm×500mm；所述硅膜層包括本征多晶硅、本征非晶硅、磷/硼摻雜的多晶硅、磷/硼摻雜的非晶硅、硅碳膜以及硅氧膜。

4.根據權利要求3所述的原位清洗方法，其特征在于，在第二步驟中，所述含氟等子體經過所述第一預設時間和第二預設時間對所述反應腔室內壁和載板表面的覆蓋面積達兩者總面積的60％～小于70％，第一步驟中的含氟清洗氣體流量和射頻發生器功率與第二步驟中的含氟清洗氣體流量和射頻發生器功率對應相同。

5.根據權利要求4所述的原位清洗方法，其特征在于，在第三步驟中，所述含氟等子體經過所述第一預設時間、第二預設時間和第三預設時間對所述反應腔室內壁和載板表面的覆蓋面積達兩者總面積的70％～小于85％，第二步驟中的含氟清洗氣體流量和射頻發生器功率與第三步驟中的含氟清洗氣體流量和射頻發生器功率對應相同。

6.根據權利要求5所述的原位清洗方法，其特征在于，在第四步驟中，所述含氟等子體經過所述第一預設時間、第二預設時間、第三預設時間和第四預設時間對所述反應腔室內壁和載板表面的覆蓋面積達兩者總面積的85％～小于100％，第三步驟中的含氟清洗氣體流量和射頻發生器功率與第四步驟中的含氟清洗氣體流量和射頻發生器功率對應相同或不同。

7.根據權利要求6所述的原位清洗方法，其特征在于，在第五步驟中，所述含氟等子體在對所述反應腔室內壁和載板表面100％全部覆蓋的情況下對兩者進行清洗，第四步驟中的含氟清洗氣體流量和射頻發生器功率與第五步驟中的含氟清洗氣體流量和射頻發生器功率對應相同或不同。

8.根據權利要求1所述的原位清洗方法，其特征在于，所述第一預設時間、第二預設時間、第三預設時間、第四預設時間和第五預設時間五者為全部相同，或者所述第一預設時間、第二預設時間、第三預設時間、第四預設時間和第五預設時間中至少兩者不相同。