[發(fā)明專(zhuān)利]一種低噪聲雙面集成可注入生物光電極微探針及制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010748912.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-07-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111863776B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-09-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張佰君;沈俊宇 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中山大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L23/552 | 分類(lèi)號(hào): | H01L23/552;H01L33/38;A61N5/06 |
| 代理公司: | 深圳市創(chuàng)富知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44367 | 代理人: | 李思坪 |
| 地址: | 510275 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 噪聲 雙面 集成 注入 生物 光電 極微 探針 制備 方法 | ||
1.一種低噪聲雙面集成可注入生物光電極微探針制備方法,其特征在于,包括:
在透明襯底背面制備第一透明導(dǎo)電層,作為電磁屏蔽結(jié)構(gòu);
在第一透明導(dǎo)電層上制備設(shè)有通孔的第一絕緣隔離層;
在第一絕緣隔離層上,采用金屬薄膜制備記錄電極、記錄電極導(dǎo)線、記錄電極焊盤(pán)和接地端;
在第一絕緣隔離層上,制備設(shè)有記錄電極窗口、記錄電極焊盤(pán)窗口和接地端窗口的第一絕緣鈍化層;
透明襯底正面的外延結(jié)構(gòu)依次是n型氮化鎵、有源層和p型氮化鎵;
制備第二透明導(dǎo)電層覆蓋p型氮化鎵并在p型氮化鎵上留出制備陽(yáng)極的部位;
在第二透明導(dǎo)電層上,制備第二絕緣隔離層并留出陽(yáng)極結(jié)構(gòu)和陰極結(jié)構(gòu)的部位;
在第二透明導(dǎo)電層上,沉積金屬薄膜制備陽(yáng)極電極、陽(yáng)極電極導(dǎo)線、陽(yáng)極電極焊盤(pán)、陰極電極、陰極電極導(dǎo)線和陰極電極焊盤(pán);
在第二透明導(dǎo)電層上,制備設(shè)有陽(yáng)極焊盤(pán)窗口和陰極焊盤(pán)窗口的第二絕緣鈍化層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種低噪聲雙面集成可注入生物光電極微探針制備方法,其特征在于,所述金屬薄膜采用50nm的鈦金屬薄膜或150nm的金金屬薄膜。
3.一種低噪聲雙面集成可注入生物光電極微探針制備方法,其特征在于,包括:
在透明襯底背面制備第一透明導(dǎo)電層,作為電磁屏蔽結(jié)構(gòu);
在透明導(dǎo)電層上制備設(shè)有通孔的第一絕緣隔離層;
在第一絕緣隔離層上,采用金屬薄膜制備記錄電極、記錄電極導(dǎo)線、記錄電極焊盤(pán)和接地端;
在第一絕緣隔離層上,制備設(shè)有記錄電極窗口、記錄電極焊盤(pán)窗口和第二接地端窗口的第一絕緣鈍化層;
制備作為發(fā)光結(jié)構(gòu)的獨(dú)立芯片;
在透明襯底正面沉積金屬薄膜制備陽(yáng)極基座、陰極基座、陽(yáng)極導(dǎo)線、陰極導(dǎo)線、陽(yáng)極焊盤(pán)和陰極焊盤(pán);
在透明襯底正面,制備設(shè)有陽(yáng)極基座窗口、陰極基座窗口、陽(yáng)極焊盤(pán)窗口和陰極焊盤(pán)窗口的第二絕緣鈍化層并在陽(yáng)極基座和陰極基座上涂覆鉛錫焊料薄膜;
將作為發(fā)光結(jié)構(gòu)的獨(dú)立芯片用倒裝焊貼片封裝技術(shù)在200℃下焊接至透明襯底正面,作為發(fā)光結(jié)構(gòu)的獨(dú)立芯片的陽(yáng)極和陰極與陽(yáng)極基座、陰極基座一一對(duì)應(yīng);
將兩面的器件集成后,用UV膠封裝作為發(fā)光結(jié)構(gòu)的獨(dú)立芯片、陽(yáng)極基座及陰極基座。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種低噪聲雙面集成可注入生物光電極微探針制備方法,其特征在于,所述制備作為發(fā)光結(jié)構(gòu)的獨(dú)立芯片這一步驟,其具體包括:
透明襯底上的外延結(jié)構(gòu)依次是n型氮化鎵、有源層和p型氮化鎵;
制備第二透明導(dǎo)電層覆蓋p型氮化鎵并在p型氮化鎵上留出制備陽(yáng)極的部位;
在p型氮化鎵上,制備第二絕緣隔離層并留出陽(yáng)極結(jié)構(gòu)和陰極結(jié)構(gòu)的部位;
在p型氮化鎵上,沉積金屬薄膜制備陽(yáng)極電極和陰極電極。
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