[發明專利]一種高頻低介電材料的制備方法有效
| 申請號： | 202010748829.5 | 申請日： | 2020-07-30 |
| 公開（公告）號： | CN111849097B | 公開（公告）日： | 2022-02-11 |
| 發明（設計）人： | 侯遠;梁希亭;江建勇;胡澎浩 | 申請（專利權）人： | 佛山（華南）新材料研究院 |
| 主分類號： | C08L27/18 | 分類號： | C08L27/18;C08K3/36;C08K3/22;C08K3/24;C08J5/18;C08J7/00;C08J7/04 |
| 代理公司： | 佛山信智匯知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 44629 | 代理人： | 唐杏姣 |
| 地址： | 528200 廣東省佛山市南海區桂城*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高頻 低介電 材料 制備 方法 | ||
1.一種高頻低介電材料的制備方法,其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：
S1.稱取聚四氟乙烯乳液、填料并依次加入分散機中，充分分散均勻獲得聚四氟乙烯乳液與填料的分散體系；
S2.往聚四氟乙烯乳液與填料的分散體系中加入乙醇，繼續攪拌至所述分散體系破乳，得到面團狀的材料；
S3.啟動開煉機，對S2中得到的材料進行開煉，獲得纖維化的材料；
S4.將S3中得到的材料放置輥壓機中，壓制后，進行干燥固化，得到膜材料；
S5.將S4中得到的膜材料放置在聚四氟乙烯溶液中浸扎后，進行干燥固化，并在溫度大于250℃的條件下熱處理0.5-1.5h，得到高頻低介電材料；
其中，所述填料為硅微粉、二氧化鈦、鈦酸鋇中的一種或多種。
2.根據權利要求1所述的高頻低介電材料的制備方法,其特征在于，所述分散機中設置的條件為：攪拌速度為10-1000r/min，攪拌時間為20-30min。
3.根據權利要求1所述的高頻低介電材料的制備方法,其特征在于，按照體積比，所述聚四氟乙烯乳液與所述填料的添加量比例為：1:0.2-9。
4.根據權利要求1所述的高頻低介電材料的制備方法,其特征在于，按照體積比，所述聚四氟乙烯乳液與所述乙醇的添加量比例為：1:0.3-2.0。
5.根據權利要求1所述的高頻低介電材料的制備方法,其特征在于，所述開煉的條件為：開煉溫度為40-80°，開煉的時間為5-60min。
6.根據權利要求1所述的高頻低介電材料的制備方法,其特征在于，所述壓制的厚度為0.1-1cm。
7.根據權利要求1所述的高頻低介電材料的制備方法,其特征在于，所述輥壓機速度為0.1-5m/min,所述輥壓機的壓力為5-30Mpa，所述輥壓機的溫度為40-60°。
8.根據權利要求1所述的高頻低介電材料的制備方法,其特征在于，所述浸扎為壓力浸扎，所述壓力浸扎的壓力為5-10Mpa。
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