[發明專利]薄互層地震特征分析的方法、系統、存儲介質及電子設備在審
| 申請號: | 202010748819.1 | 申請日: | 2020-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN114063157A | 公開(公告)日: | 2022-02-18 |
| 發明(設計)人: | 馬靈偉;孫振濤;劉嬋娟;曹輝蘭;周丹 | 申請(專利權)人: | 中國石油化工股份有限公司;中國石油化工股份有限公司石油物探技術研究院 |
| 主分類號: | G01V1/30 | 分類號: | G01V1/30 |
| 代理公司: | 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372 | 代理人: | 吳大建;陳敏 |
| 地址: | 100728 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄互層 地震 特征 分析 方法 系統 存儲 介質 電子設備 | ||
1.一種優化薄互層儲層地震響應特征分析的方法,其特征在于,包括以下步驟:
根據靶區地質數據、地震數據及測錄井數據,構建地下薄互層結構理論模型;
基于所述薄互層結構理論模型,采用非均勻介質波進行正演模擬,獲得正演模擬記錄數據;
對所述正演模擬記錄數據中地震波場信息進行偏移成像,獲得不同薄互層結構的所述理論模型對應的地震偏移剖面;
從所述地震偏移剖面中分別提取不同薄互層結構的地震響應特征進行對比分析,獲得不同薄互層結構類別的地震響應特征;
根據所述薄互層結構理論模型和所述不同薄互層結構類別的地震響應波形特征,構建薄互層結構簡化模型;
基于所述薄互層結構簡化模型進行薄互層儲層地震響應特征分析。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,
所述構建地下薄互層結構理論模型需要設置的參數包括:薄儲層的厚度、薄儲層間隔距離、薄層的結構。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,
所述理論模型的薄互層結構最低厚度設置為5m,薄互層結構種類數量設置為最少12種。
4.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,
所述薄互層結構種類設置包括:1種薄儲層厚度設置為5m,7種薄儲層間隔距離設置為大于等于1m且小于5m,4種薄儲層間隔距離設置為小于1m。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,
所述采用非均勻介質波進行正演模擬,獲得正演模擬記錄數據,包括:采用雷克子波模擬地震波,模擬地震波在薄互層結構中傳播的地震波場記錄,獲得正演模擬炮集記錄。
6.根據權利要求5所述的方法,其特征在于,
所述薄儲層間隔距離設置包括:1.0m、1.5m、2.0m、2.5m、3.0m、3.5m、4.0m;
所述雷克子波設置為1m×1m的小網格,主頻設置為25Hz。
7.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,
所述對所述正演模擬記錄數據中地震波場信息進行偏移成像,包括:采用柯西霍夫疊前深度域偏移成像處理,采用真實的速度模型對所述地震波場信息進行偏移成像。
8.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,所述不同薄互層結構的波形特征包括:
薄儲層間隔距離小于1m的薄互層結構波形特征:薄儲層間隔距離小于1m的薄互層和與其相等厚度的薄儲層的地震響應特征一致;
單一薄儲層厚度大于2m的薄互層結構波形特征:地震響應特征與其他薄互層結構有差異;
薄儲層厚度小于1m且薄儲層縱向間隔大于4m的薄層結構波形特征:地震響應特征微弱。
9.一種優化薄互層儲層地震響應特征分析的系統,其特征在于,包括:
模型構建模塊,用于根據靶區地質數據、地震數據及測錄井數據,構建地下薄互層結構理論模型;
正演模擬模塊,用于基于所述薄互層結構理論模型,采用非均勻介質波進行正演模擬,獲得正演模擬記錄數據;
地震偏移剖面處理模塊,用于對所述正演模擬記錄數據中地震波場信息進行偏移成像,獲得不同薄互層結構的所述理論模型對應的地震偏移剖面;
地震響應特征處理模塊,用于從所述地震偏移剖面中分別提取不同薄互層結構的地震響應特征進行對比分析,獲得不同薄互層結構類別的地震響應特征;
模型簡化模塊,根據所述薄互層結構理論模型和所述不同薄互層結構類別的地震響應波形特征,構建薄互層結構簡化模型;
地震響應特征分析模塊,用于基于薄互層結構簡化模型進行薄互層儲層地震響應特征分析。
10.一種存儲介質,其上存儲有計算機程序,其特征在于,
該程序被處理器執行時實現權利要求1至8中任一項所述優化薄互層儲層地震響應特征分析方法的步驟。
11.一種電子設備,其特征在于,包括:
存儲器,其上存儲有計算機程序;以及
處理器,用于執行所述存儲器中的所述計算機程序,以實現權利要求1至8中任一項所述優化薄互層儲層地震響應特征分析方法的步驟。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國石油化工股份有限公司;中國石油化工股份有限公司石油物探技術研究院,未經中國石油化工股份有限公司;中國石油化工股份有限公司石油物探技術研究院許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010748819.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:半導體結構的制備方法
- 下一篇:一種改性高鎳正極材料及其制備方法





