[發明專利]一種采用電沉積法制備三維花狀碲化鋅納米材料的方法

在審

• 申請號: 202010747692.1
• 申請日: 2020-07-30
• 公開（公告）號: CN111809207A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 李正林;楊紅梅;于京華
• 申請（專利權）人: 濟南大學
• 主分類號: C25D9/04
• 分類號: C25D9/04;C25D17/10;B82Y40/00;C25D3/48;C25D5/54
• 代理公司: 濟南譽豐專利代理事務所(普通合伙企業) 37240
• 代理人: 趙鳳

1.一種采用電沉積法制備三維花狀碲化鋅納米材料的方法，其特征是包括以下步驟：

（1）在摻雜氟的二氧化錫（FTO）導電電極上沉積一層金納米粒子：首先將FTO導電電極依次在丙酮、乙醇、二次水中各清洗10 min，利用標準的三電極系統，其中鉑絲電極作為對電極，Ag/AgCl電極作為參比電極，清洗后的FTO導電電極為工作電極，在1%-5%氯金酸的電解液中，利用電位溶出分析法，在沉積電位為-0.2 V，沉積時間為30-60 s，將金納米粒子沉積在FTO導電電極的表面，沉積完成后，用二次水清洗電極表面，并在室溫下自然干燥；

（2）利用電位溶出分析法在步驟（1）中獲得的電極表面生長三維花狀的碲化鋅：利用標準的三電極系統，其中鉑絲電極作為對電極，Ag/AgCl電極作為參比電極，步驟（1）中獲得的電極作為工作電極，通過電位溶出分析法在工作區域電沉積三維花狀的碲化鋅，所用的沉積電解液是硫酸鋅和二氧化碲的混合溶液，其中硫酸鋅的濃度為1-3 mM，二氧化碲的濃度為0.1-0.3 M，電解液的pH由濃度為1 M的硫酸溶液調節為2-5，沉積電壓為1.35 V到1.75V，沉積時間為40-60 min，沉積溫度為70-90 oC，整個沉積過程在攪拌條件下進行，沉積完成后，用二次水洗滌電極表面并在60 oC條件下干燥30 min。