[發(fā)明專利]一種以h-BN作為中間插層的憶阻器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010746740.5 | 申請日： | 2020-07-29 |
| 公開（公告）號： | CN111916558B | 公開（公告）日： | 2023-06-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 孫堂友;涂杰;石卉;劉云;李海鷗;傅濤;劉興鵬;陳永和;肖功利;李琦;張法碧 | 申請（專利權(quán)）人： | 桂林電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | H10N70/00 | 分類號： | H10N70/00 |
| 代理公司： | 桂林文必達(dá)專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 45134 | 代理人： | 張學(xué)平 |
| 地址： | 541004 廣西*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 bn 作為 中間 憶阻器 | ||
1.一種以h-BN作為中間插層的憶阻器，其特征在于，
所述以h-BN作為中間插層的憶阻器包括襯底、底電極層、高空位介質(zhì)層、中間插層、低空位介質(zhì)層和頂電極層，所述底電極層與所述襯底固定連接，并位于所述襯底一側(cè)，所述高空位介質(zhì)層與所述底電極層固定連接，并位于遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)，所述中間插層與所述高空位介質(zhì)層固定連接，并位于遠(yuǎn)離所述底電極層一側(cè)，所述低空位介質(zhì)層與所述中間插層固定連接，并位于遠(yuǎn)離所述高空位介質(zhì)層一側(cè)，所述頂電極層與所述低空位介質(zhì)層固定連接，并位于遠(yuǎn)離所述中間插層一側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的一種以h-BN作為中間插層的憶阻器，其特征在于，
所述底電極層為金、鉑、石墨烯、銥和鈀中的任意一種，厚度為1-200nm。
3.如權(quán)利要求1所述的一種以h-BN作為中間插層的憶阻器，其特征在于，
所述高空位介質(zhì)層為金屬氧化物、硫族固態(tài)電解質(zhì)、氮化物和有機(jī)物介質(zhì)中的任意一種，厚度為1-100nm。
4.如權(quán)利要求1所述的一種以h-BN作為中間插層的憶阻器，其特征在于，
所述中間插層為六方氮化硼，層數(shù)為1-15層。
5.如權(quán)利要求1所述的一種以h-BN作為中間插層的憶阻器，其特征在于，
所述低空位介質(zhì)層為金屬氧化物、硫族固態(tài)電解質(zhì)、氮化物和有機(jī)物介質(zhì)中的任意一種，厚度為1-100nm。
6.如權(quán)利要求1所述的一種以h-BN作為中間插層的憶阻器，其特征在于，
所述頂電極層為銅、銀、鋁、鈦、鋅、錫、鐵和ITO中的任意一種，厚度為1-200nm。
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