[發(fā)明專利]靜電保護電路、顯示基板和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010744299.7 | 申請日: | 2020-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN111863916B | 公開(公告)日: | 2022-08-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蔡建暢;龍躍;程羽雕;周宏軍;杜麗麗 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/3225 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 魏艷新;姜春咸 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 靜電 保護 電路 顯示 顯示裝置 | ||
公開一種靜電保護電路、顯示基板和顯示裝置,靜電保護電路包括:設(shè)置在基底上的多個第一晶體管,第一晶體管包括柵極、有源層、第一極、第二極和連接部,多個所述第一晶體管的柵極相互連接,形成為控制線;第一晶體管的第一極與裂紋檢測線電連接,連接部連接在第一極與第二極之間,第一晶體管的有源層和柵極交疊設(shè)置并絕緣間隔,形成第一電容;控制線與第一電源線電連接,第一電源線所在層與控制線所在層之間的絕緣層上設(shè)置有第一過孔,第一電源線通過第一過孔與控制線電連接,靠近所述第一過孔的第一電容在基底上的正投影與第一過孔在基底上的正投影之間具有第一間距,第一間距與第一電容在垂直于連接部的方向上的尺寸之比大于0.375。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種靜電保護電路、顯示基板和顯示裝置。
背景技術(shù)
在有機電致發(fā)光(Organic Light-Emitting Diode,OLED)顯示面板中,顯示區(qū)的周邊區(qū)域設(shè)置有裂縫檢測(Panel crack detect,PCD)線,以檢測顯示面板是否出現(xiàn)裂縫。另外,在生產(chǎn)過程中,裂紋檢測線上容易產(chǎn)生靜電,因此,通常在周邊區(qū)域設(shè)置靜電保護電路來對裂紋檢測線進行靜電保護。
發(fā)明內(nèi)容
本公開旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一,提出了一種靜電保護電路、顯示基板和顯示裝置。
為了實現(xiàn)上述目的,本公開提供一種靜電保護電路,包括:設(shè)置在基底上的多個第一晶體管,所述第一晶體管包括柵極、有源層、第一極、第二極和連接部,多個所述第一晶體管的柵極相互連接,形成為控制線;所述第一晶體管的第一極與裂紋檢測線電連接,所述連接部連接在所述第一晶體管的第一極與第二極之間,所述第一晶體管的有源層和柵極交疊設(shè)置并絕緣間隔,以形成第一電容;
所述控制線與第一電源線電連接,所述第一電源線與所述控制線位于絕緣間隔的不同層中,所述第一電源線所在層與所述控制線所在層之間的絕緣層上設(shè)置有第一過孔,所述第一電源線通過所述第一過孔與所述控制線電連接,靠近所述第一過孔的第一電容在所述基底上的正投影與所述第一過孔在所述基底上的正投影之間具有第一間距,所述第一間距與所述第一電容在垂直于所述連接部的方向上的尺寸之比大于0.375。
在一些實施例中,所述第一間距與所述第一電容在垂直于所述連接部的方向上的尺寸之比在0.375~5之間。
在一些實施例中,所述第一間距在15μm~50μm之間,所述第一電容在垂直于所述連接部的方向上的尺寸在10μm~40μm之間。
在一些實施例中,所述靜電保護電路中的多個第一晶體管排成兩行,至少一行包括多個所述第一晶體管,所述控制線為環(huán)形信號線。
在一些實施例中,多個所述第一晶體管的第一極通過連接線相互連接,所述連接線為環(huán)繞所述控制線的半封閉結(jié)構(gòu)。
在一些實施例中,所述連接線的首尾兩端均與所述裂紋檢測線電連接。
在一些實施例中,所述裂紋檢測線位于所述第一晶體管的柵極所在層與所述第一晶體管的第一極所在層之間,所述裂紋檢測線與所述第一晶體管的柵極所在層之間設(shè)置有柵絕緣層,所述裂紋檢測線所在層與所述第一晶體管的第一極所在層之間設(shè)置有層間介質(zhì)層。
在一些實施例中,所述連接線與所述裂紋檢測線通過第二過孔電連接,所述第二過孔貫穿所述層間介質(zhì)層。
在一些實施例中,所述柵絕緣層和所述層間介質(zhì)層均覆蓋所述裂紋檢測線和所述靜電保護電路。
在一些實施例中,所述第一晶體管的第一極、第二極和所述連接線連接為一體結(jié)構(gòu)。
在一些實施例中,所述第一晶體管的連接部的寬度在3μm~10μm之間。
在一些實施例中,所述第一電源線與所述第一晶體管的第一極和第二極同層設(shè)置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





