[發明專利]驅動電路及半導體裝置在審
| 申請號: | 202010743786.1 | 申請日: | 2020-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN112468129A | 公開(公告)日: | 2021-03-09 |
| 發明(設計)人: | 巖水守生 | 申請(專利權)人: | 富士電機株式會社 |
| 主分類號: | H03K17/687 | 分類號: | H03K17/687 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 陳力奕;宋俊寅 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 驅動 電路 半導體 裝置 | ||
1.一種驅動電路,該驅動電路控制輸出部,該輸出部根據輸入的第1控制信號與輸出線的電壓之間的電位差,切換是否對所述輸出線提供電流,其特征在于,該驅動電路包括:
控制線,該控制線將所述第1控制信號傳送到所述輸出部;
連接切換部,該連接切換部切換是否連接所述控制線和所述輸出線;
前級控制部,該前級控制部設置在高電位線與低電位線之間,根據輸入的第2控制信號來選擇所述高電位線和所述低電位線中的某一個的電位并進行輸出;及
后級控制部,該后級控制部在所述前級控制部輸出了比預定的閾值要高的電壓的情況下,使所述連接切換部連接所述控制線和所述輸出線。
2.如權利要求1所述的驅動電路,其特征在于,
所述后級控制部設置在所述高電位線與所述輸出線之間,根據所述前級控制部輸出的電壓,選擇所述高電位線和所述輸出線中的某一個的電位,并將該所述高電位線和所述輸出線中的某一個的電位輸入到所述連接切換部。
3.如權利要求2所述的驅動電路,其特征在于,
所述連接切換部具有設置在所述控制線與所述輸出線之間的NMOS晶體管,
所述后級控制部在所述前級控制部輸出了比預定的閾值要高的電壓的情況下,對所述NMOS晶體管的柵極端子施加所述高電位線的電位。
4.如權利要求3所述的驅動電路,其特征在于,
所述后級控制部具有設置在所述高電位線與所述輸出線之間且串聯連接的偶數級的逆變器。
5.如權利要求1至4中任一項所述的驅動電路,其特征在于,
所述前級控制部在所述連接切換部要連接所述控制線和所述輸出線的情況下,選擇所述高電位線的電位并進行輸出。
6.如權利要求1至5中任一項所述的驅動電路,其特征在于,
所述第2控制信號在所述連接切換部要連接所述控制線和所述輸出線的情況下表示第1邏輯值,在要切斷所述控制線和所述輸出線的情況下表示第2邏輯值,
所述前級控制部在所述第2控制信號表示所述第1邏輯值的情況下輸出所述高電位線的電位,在所述第2控制信號表示所述第2邏輯值的情況下輸出所述低電位線的電位。
7.如權利要求6所述的驅動電路,其特征在于,
所述第1邏輯值是H邏輯值,
所述前級控制部具有設置在所述高電位線與所述低電位線之間且串聯連接的偶數級的逆變器。
8.如權利要求1至7中任一項所述的驅動電路,其特征在于,包括:
連接線,該連接線將所述前級控制部的輸出輸入到所述后級控制部;及
上拉部,該上拉部將所述連接線連接到預定的上拉電位線。
9.如權利要求8所述的驅動電路,其特征在于,
所述上拉電位線是所述高電位線。
10.如權利要求8或9所述的驅動電路,其特征在于,
所述上拉部包含設置在所述上拉電位線與所述連接線之間的電流源、電阻及耗盡型MOS晶體管中的至少一個。
11.一種半導體裝置,其特征在于,包括:
輸出線;
輸出部,該輸出部根據輸入的第1控制信號與所述輸出線的電壓之間的電位差,切換是否對所述輸出線提供電流;及
權利要求1至10中任一項所述的驅動電路。
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