[發明專利]靶材坯料及其制作方法

有效

• 申請號: 202010742998.8
• 申請日: 2020-07-29
• 公開（公告）號: CN111621753B
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 韓剛;程興德;韓啟航
• 申請（專利權）人: 江蘇集萃先進金屬材料研究所有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;B22F3/15
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種靶材坯料制作方法，其特征在于，包括：

提供靶材原料，所述靶材原料為顆粒狀；

在所述靶材原料表面形成還原層，所述還原層由多個碳顆粒組成，所述碳顆粒材料為碳單質，所述還原層中的碳為納米結構；

對所述靶材原料進行脫氧處理，以便通過所述還原層去除所述靶材原料中的氧，所述脫氧處理的工藝溫度為400℃~900℃；

對經脫氧處理后的靶材原料進行燒結處理，形成靶材坯料。

2.如權利要求1所述的靶材坯料制作方法，其特征在于，所述靶材原料的中值粒徑小于150μm，且大于10μm。

3.如權利要求1所述的靶材坯料制作方法，其特征在于，所述還原層的材料包括納米炭黑、納米石墨、碳納米管、碳納米纖維、納米碳球中的一種或者多種。

4.如權利要求1所述的靶材坯料制作方法，其特征在于，所述脫氧處理的工藝參數還包括：壓強低于0.1Pa，工藝時間為15h ~60h。

5.如權利要求1所述的靶材坯料制作方法，其特征在于，所述碳顆粒的粒徑小于60nm。

6.如權利要求5所述的靶材坯料制作方法，其特征在于，在所述靶材原料表面形成還原層的方法包括：

提供熱等離子體炬，所述熱等離子體炬內具有熱等離子體；

向所述熱等離子體炬內通入含碳氣體及靶材原料，所述含碳氣體裂解形成碳顆粒，所述碳顆粒在所述靶材原料表面形成還原層。

7.如權利要求5所述的靶材坯料制作方法，其特征在于，在所述靶材原料表面形成還原層的方法包括：

將靶材原料與碳顆粒混裝于容器內；

攪拌所述靶材原料與碳顆粒，所述碳顆粒附于所述靶材原料表面形成還原層。

8.如權利要求6或7所述的靶材坯料制作方法，其特征在于，所述靶材原料的材料包括W、Mo、Ta、Nb、Ru、Cr中的一種或者多種。

9.如權利要求1所述的靶材坯料制作方法，其特征在于，所述燒結處理采用熱等靜壓工藝。

10.如權利要求9所述的靶材坯料制作方法，其特征在于，所述熱等靜壓工藝的工藝參數包括：工藝氣體包括氬氣，工藝溫度為1000℃~1700℃，腔室壓強為1200atm~2000atm ，工藝時間為3h~20h。