[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010742829.4
• 申請日: 2020-07-29
• 公開（公告）號: CN111785679A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉思旸;朱繼光;馮俊波
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)合微電子中心有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/84
• 代理公司: 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

絕緣體上硅晶圓；

形成于所述絕緣體上硅晶圓的頂層硅的硅光器件，所述硅光器件包括激光器；

單晶硅材料加厚區(qū)域，形成于所述激光器上表面，以加厚所述激光器，使達(dá)到模式匹配效果對所述頂層硅的厚度要求。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：

覆蓋所述硅光器件和所述單晶硅材料加厚區(qū)域的保護(hù)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述保護(hù)層包括二氧化硅層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述單晶硅材料加厚區(qū)域的厚度至少為180nm。

5.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供絕緣體上硅晶圓，所述絕緣體上硅晶圓包括頂層硅；

在所述頂層硅中形成多個硅光器件，所述多個硅光器件包括激光器；

采用單晶硅材料加厚所述激光器所在區(qū)域的頂層硅，以加厚所述激光器，使達(dá)到模式匹配效果對所述頂層硅的厚度要求。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，在加厚所述激光器所在區(qū)域的頂層硅前，進(jìn)一步包括形成覆蓋所述多個硅光器件的上表面的介質(zhì)層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，在加厚所述激光器所在區(qū)域的頂層硅前，進(jìn)一步包括去除需要加厚區(qū)域?qū)?yīng)介質(zhì)層的步驟。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述介質(zhì)層包括覆蓋至所述多個硅光器件表面的二氧化硅層，在加厚所述激光器所在區(qū)域的頂層硅前，去除需要加厚區(qū)域?qū)?yīng)的二氧化硅層。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，加厚所述激光器所在區(qū)域的頂層硅后，對加厚區(qū)域的表面進(jìn)行二次刻蝕成型。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述多個硅光器件還包括調(diào)制器、波導(dǎo)中的一種或多種。

11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述激光器包括激光器波導(dǎo)以及激光器光柵。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于，通過氣相外延、液相外延、分子束外延、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積以及原子層沉積中的至少一種方法，在所述激光器所在區(qū)域的頂層硅形成單晶硅材料，以實現(xiàn)加厚。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，對加厚區(qū)域的表面進(jìn)行二次刻蝕成型后，還包括以下步驟：

形成覆蓋所述硅光器件的保護(hù)層。