[發明專利]顯示裝置和用于制造其的方法在審
| 申請號: | 202010742278.1 | 申請日: | 2020-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN112397525A | 公開(公告)日: | 2021-02-23 |
| 發明(設計)人: | 李光洙;金賢;尹甲洙;鄭守正 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;H01L29/786;G02F1/1345;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 潘懷仁;孔麗君 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 用于 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
包括顯示區和圍繞所述顯示區的外周區的基板;
設置在所述顯示區中的多個像素電路部分和多條信號線;和
設置在所述外周區中并且與所述多條信號線連接的驅動電路部分,
其中所述驅動電路部分包括第一晶體管,所述第一晶體管包括設置在所述基板上的第一有源圖案、設置在所述第一有源圖案上的第一柵絕緣層和設置在所述第一柵絕緣層上的第一柵電極,
其中每個像素電路部分包括第二晶體管,所述第二晶體管包括設置在所述基板上的第二有源圖案、設置在所述第二有源圖案上的第二柵絕緣層和設置在所述第二柵絕緣層上的第二柵電極,
其中所述第一柵絕緣層包括在第一方向上不與所述第一柵電極重疊的第一外部分,
其中所述第二柵絕緣層包括在所述第一方向上不與所述第二柵電極重疊的第二外部分,并且
其中在不同于所述第一方向的第二方向上所述第一外部分的第一寬度比在所述第二方向上所述第二外部分的第二寬度大。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中所述第一外部分具有沿著所述第一柵電極的外周延伸的形狀,并且所述第二外部分具有沿著所述第二柵電極的外周延伸的形狀。
3.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中所述第一外部分的寬度大于或等于1.7微米。
4.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中
所述第一有源圖案包括第一源區域、第一漏區域以及與所述第一柵電極重疊的第一溝道區域,所述第一源區域和所述第一漏區域相對于所述第一溝道區域面向彼此,
所述第二有源圖案包括第二源區域、第二漏區域以及與所述第二柵電極重疊的第二溝道區域,所述第二源區域和所述第二漏區域相對于所述第二溝道區域面向彼此,并且
所述第一漏區域和所述第一柵電極之間的距離比所述第二漏區域和所述第二柵電極之間的距離大。
5.根據權利要求4所述的顯示裝置,進一步包括:
絕緣層,所述絕緣層設置在所述第一柵電極和所述第二柵電極上;
第一源電極,所述第一源電極設置在所述絕緣層上,并且與所述第一源區域電連接;和
第一漏電極,所述第一漏電極設置在所述絕緣層上,并且與所述第一漏區域電連接。
6.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中所述顯示區包括多個像素,并且所述多個像素中的每個包括所述多個像素電路部分中的對應的像素電路部分和與所述對應的像素電路部分電連接的發光二極管。
7.根據權利要求6所述的顯示裝置,其中
所述多條信號線包括與所述多個像素電路部分電連接的多條柵線,并且
所述驅動電路部分與所述多條柵線連接,并且在掃描所述多條柵線的同時,將柵信號施加至所述多條柵線。
8.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
包括顯示區和圍繞所述顯示區的外周區的基板;
設置在所述顯示區中的多個像素電路部分和多條信號線;和
設置在所述外周區中并且與所述多條信號線連接的驅動電路部分,
其中所述驅動電路部分包括第一晶體管,所述第一晶體管包括設置在所述基板上的第一有源圖案、設置在所述第一有源圖案上的第一柵絕緣層和設置在所述第一柵絕緣層上的第一柵電極,
其中所述第一柵絕緣層包括在第一方向上不與所述第一柵電極重疊的第一外部分,并且
其中所述第一外部分包括在不同于所述第一方向的第二方向上具有不同的寬度的部分。
9.根據權利要求8所述的顯示裝置,其中
所述第一有源圖案包括第一源區域、第一漏區域以及與所述第一柵電極重疊的第一溝道區域,所述第一源區域和所述第一漏區域相對于所述第一溝道區域面向彼此,
所述第一外部分包括與所述第一源區域重疊的第一部分和與所述第一漏區域重疊的第二部分,并且
所述第二部分的寬度比所述第一部分的寬度大。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





