[發(fā)明專利]一種使晶片蝕刻均勻的方法及刻蝕爐機臺

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010742195.2
• 申請日: 2020-07-29
• 公開（公告）號: CN111785666B
• 公開（公告）日: 2023-08-11
• 發(fā)明（設計）人: 王興林;李彬彬;霍曜;李瑞評;蘇賢達;梅曉陽;吳福仁;王振;鄭皓允
• 申請（專利權）人: 福建晶安光電有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 王立紅

1.一種刻蝕爐機臺，其特征在于，包括：

爐管，其可被加熱；

擋板，安裝在所述爐管的預定位置，用于封堵所述爐管的部分區(qū)域以配置出蝕刻腔體；

第一載具，用于承載晶片并設置在所述蝕刻腔體內；所述第一載具與所述晶片的接觸為線接觸或類線接觸；

第二載具，用于支撐所述第一載具，所述第二載具配置有對所述晶片的蝕刻區(qū)域進行避讓的避讓區(qū)；

進氣口，用于與所述蝕刻腔體連通并向所述蝕刻腔體內輸入反應氣體；

氣體導向裝置，用于使所述反應氣體以與所述晶片的蝕刻表面平行的方向向所述晶片移動并擴散至所述晶片蝕刻表面；

所述進氣口設置在所述擋板上，且所述進氣口的進氣路徑相對于所述爐管的中心線傾斜設置，且進氣口繞所述爐管中心線周向陣列布置；

所述氣體導向裝置包括設置在所述爐管內壁的多排擾流板，所述多排擾流板沿第一方向排列，且沿遠離所述擋板的方向擾流板向爐管內壁延伸的長度逐漸變長；每排擾流板繞所述爐管的中心線周向陣列布置；

所述擾流板與所述晶片蝕刻表面平行或相對于所述晶片蝕刻表面為內傾斜。

2.根據權利要求1所述的刻蝕爐機臺，其特征在于，所述第一載具包括圍合成框架結構的第一側向支架、第一連接桿、第二側向支架和第二連接桿；

所述第一側向支架上設有在第一方向上延伸預定長度的第一卡條；所述第二側向支架上設有在第一方向上延伸預定長度的第二卡條；在所述第一側向支架與所述第二側向支架之間且位于所述框架結構中下部的位置設有第三卡條；

所述晶片卡設在所述第一卡條、第二卡條與第三卡條限定的空間內，且所述第一卡條、第二卡條與第三卡條與所述晶片的邊緣均為線接觸或類線接觸。

3.根據權利要求2所述的刻蝕爐機臺，其特征在于，所述第一卡條、第二卡條和第三卡條的數量均為一條；所述晶片與所述第一卡條、第二卡條和第三卡條的接觸位置的中心連線為等腰三角形；

或者所述第一卡條和第二卡條的數量為兩條，兩條第一卡條和兩個第二卡條均在第二方向上相距預定距離，所述第二方向與所述第一方向垂直。

4.根據權利要求2所述的刻蝕爐機臺，其特征在于，所述第一卡條、第二卡條與第三卡條限定的空間內可卡設多個晶片，多個所述晶片沿第一方向等間距排列。

5.根據權利要求2所述的刻蝕爐機臺，其特征在于，所述第二載具包括：

基座，貫穿所述擋板并固定在所述擋板上，包括延伸至所述蝕刻區(qū)域內部的固定端；

第一支臂和第二支臂，所述第一支臂和第二支臂自所述基座的固定端沿第一方向向所述蝕刻區(qū)域內部延伸預定長度；所述第一支臂和第二支臂均為桁架結構且在第三方向上相距預定距離，所述第一支臂和第二支臂在第三方向之間的空間構成所述避讓區(qū)；

所述第一載具中的第一側向支架固定于所述第一支臂上，所述第一載具中的第二側向支架固定于所述第二支臂上。

6.根據權利要求5所述的刻蝕爐機臺，其特征在于，所述第一側向支架和所述第二側向支架的底部設有卡槽，所述第一載具與所述第二載具的連接方式為卡接。

7.根據權利要求5所述的刻蝕爐機臺，其特征在于，所述第一支臂和第二支臂均包括兩根空心閉合石英管；一根所述石英管沿所述第一方向延伸，另一根所述石英管相對第一方向傾斜設置，兩根所述石英管焊接并與所述基座的固定端圍成直角三角形。

8.根據權利要求1所述的刻蝕爐機臺，其特征在于，所述擋板設置進氣口的區(qū)域包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；

所述第一區(qū)域與所述第二載具上方的位置對應，所述第二區(qū)域與所述第二載具下方的位置對應；

所述第二區(qū)域進氣口的密集度大于所述第一區(qū)域進氣口的密集度。