[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202010741490.6
• 申請日: 2020-07-29
• 公開（公告）號: CN112310082A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 樸臺鎮;柳原錫;金根楠;金孝燮;樸素賢;許仁景;黃有商
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L23/528
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

1.一種半導體裝置，包括：

襯底；

位線結構，其設置在所述襯底上；

溝槽，其與所述位線結構的至少一側相鄰；

存儲接觸結構，其設置在所述溝槽內，并且包括存儲接觸件、硅化物層和存儲焊盤；以及

間隔件結構，其設置在所述位線結構與所述存儲接觸結構之間。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

位線接觸件，其設置在所述襯底上，

其中，所述存儲接觸件的上表面設置在所述位線接觸件的上表面之下，并且

其中，所述間隔件結構包括：

第一間隔件，其與所述位線結構的側壁接觸；以及

第二間隔件，其設置在所述第一間隔件上，所述第二間隔件與所述存儲焊盤的側壁接觸，

其中，所述第二間隔件的下表面與所述硅化物層的上表面接觸。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，還包括：

第三間隔件，其設置在所述第一間隔件與所述第二間隔件之間。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，還包括：

第四間隔件，其設置在所述第三間隔件與所述第二間隔件之間。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，所述第三間隔件是空氣間隔件。

6.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，所述位線結構包括位線和設置在所述位線上的封蓋圖案，

其中，所述封蓋圖案的下側壁與所述第一間隔件接觸，并且

其中，所述封蓋圖案的上側壁與所述存儲焊盤接觸。

7.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述第二間隔件包括：

第五間隔件，其與所述存儲焊盤的所述側壁接觸；以及

第六間隔件，其設置在所述第一間隔件與所述第五間隔件之間。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，所述第五間隔件的下表面和所述第六間隔件的下表面與所述硅化物層的所述上表面接觸。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述間隔件結構的與所述存儲焊盤的側壁接觸的第一厚度大于所述間隔件結構的與所述存儲接觸件的側壁接觸的第二厚度。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

電容器，其設置在所述存儲接觸結構上并且與所述存儲焊盤電連接。

11.一種半導體裝置，包括：

襯底；

位線接觸件，其設置在所述襯底上；

位線結構，其設置在所述位線接觸件上；

溝槽，其與所述位線結構的至少一側相鄰；

存儲接觸結構，其設置在所述溝槽內，并且包括按次序堆疊的存儲接觸件、硅化物層和存儲焊盤；

第一間隔件，其與所述位線結構的側壁接觸；以及

第二間隔件，其設置在所述第一間隔件上，所述第二間隔件與所述存儲焊盤的側壁和所述硅化物層的上表面接觸。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中，所述存儲接觸件的上表面低于所述位線接觸件的上表面。

13.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中，所述位線結構包括位線和設置在所述位線上的封蓋圖案，并且

其中，所述硅化物層的所述上表面高于所述位線的上表面。

14.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中，所述存儲接觸件包括：

第一下表面，其與所述襯底內的隔離層接觸；以及

第二下表面，其與由所述隔離層限定的有源區接觸，

其中，所述第一下表面高于所述第二下表面。