[發(fā)明專利]三維存儲器的制造方法及三維存儲器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010741169.8 | 申請日： | 2020-07-29 |
| 公開（公告）號： | CN111968989A | 公開（公告）日： | 2020-11-20 |
| 發(fā)明（設計）人： | 軒攀登 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L27/11568 | 分類號： | H01L27/11568;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人： | 遠明 |
| 地址： | 430205 湖北省武漢*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 三維 存儲器 制造 方法 | ||
1.一種三維存儲器的制造方法，其特征在于，包括：
提供襯底；
在所述襯底上形成堆疊層，所述堆疊層包括在垂直于所述襯底的縱向上交替設置的層間絕緣層和柵極犧牲層；
于所述堆疊層表面形成光阻層；
對所述光阻層進行曝光顯影，形成圖案區(qū)域和被去除區(qū)域，并在所述堆疊層表面對應于所述被去除區(qū)域的部位，形成凹槽；
對所述凹槽進行氧化處理，用以去除光阻殘留物；
所述圖案區(qū)域作為所述堆疊層的刻蝕掩膜，對所述堆疊層進行刻蝕。
2.根據(jù)權利要求1所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述圖案區(qū)域作為所述堆疊層的刻蝕掩膜，對所述堆疊層進行刻蝕的步驟，包括：
所述圖案區(qū)域作為所述堆疊層的刻蝕掩膜，對所述堆疊層進行刻蝕，形成階梯式結構。
3.根據(jù)權利要求1所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述圖案區(qū)域作為所述堆疊層的刻蝕掩膜，對所述堆疊層進行刻蝕的步驟，包括：
所述圖案區(qū)域作為所述堆疊層的刻蝕掩膜，對所述堆疊層進行刻蝕，形成溝道孔。
4.根據(jù)權利要求1所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述對所述凹槽進行氧化處理，用以去除光阻殘留物的步驟，包括：
采用氧等離子體對所述凹槽進行氧化處理，用以去除光阻殘留物。
5.根據(jù)權利要求4所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，氧化處理溫度為80-150℃。
6.根據(jù)權利要求1所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述對所述光阻層進行曝光顯影的步驟，包括：
采用四甲基氫氧化銨對所述光阻層進行顯影以形成所述被去除區(qū)域。
7.根據(jù)權利要求6所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，顯影的操作溫度為20-30℃。
8.根據(jù)權利要求1所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述光阻層的厚度為8μm及以上。
9.根據(jù)權利要求1所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述堆疊層的層數(shù)為96層及以上。
10.一種三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器由權利要求1-9中任一項所述的制造方法制造而成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
