[發(fā)明專利]一種納米二氧化鈦覆膜根管銼及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010740802.1
• 申請(qǐng)日: 2020-07-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111850497A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高淑春;仇愛(ài)榮;王秋實(shí);鄭碧霄;張少騫;李家旺
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 山西嘉文生物科技有限公司;沈陽(yáng)天賀新材料開(kāi)發(fā)有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/08;A61C5/42
• 代理公司: 沈陽(yáng)亞泰專利商標(biāo)代理有限公司 21107
• 代理人: 馬維駿

1.一種納米二氧化鈦覆膜根管銼，其特征在于，所述根管銼是以鎳鈦形狀記憶合金為基體，其表面制備納米二氧化鈦覆膜，厚度為60-100nm。

2.如權(quán)利要求1所述的納米二氧化鈦覆膜根管銼，其特征在于，所述鎳鈦形狀記憶合金為生物醫(yī)用鎳鈦形狀記憶合金，是由以下質(zhì)量分?jǐn)?shù)的成分組成：鎳50-51％，余量為鈦；材料的雜質(zhì)含量：氧＜300ppm，氮＜30ppm。

3.如權(quán)利要求1所述的納米二氧化鈦覆膜根管銼的制備方法，其特征在于，具體包括以下步驟：

步驟1、通過(guò)活化濺射覆膜方法獲得納米二氧化鈦膜，該方法在真空狀態(tài)下進(jìn)行，采用偏壓磁控濺射工藝，通氧活化鎳鈦合金根管銼表面，使其自身鈦與氧化合，產(chǎn)生致密二氧化鈦氧化膜；

步驟2、同時(shí)采用高速電子濺射純金屬鈦源，活化的鈦與活化氧在空中化合過(guò)程中沉積于基體表面，得到加固復(fù)合膜層，厚度為60-100nm。

4.如權(quán)利要求3所述的納米二氧化鈦覆膜根管銼的制備方法，其特征在于，所述步驟1中的環(huán)境溫度控制在300-400℃。

5.如權(quán)利要求3所述的納米二氧化鈦覆膜根管銼的制備方法，其特征在于，所述步驟2中的環(huán)境溫度控制在300-400℃。