[發(fā)明專利]顯示基板及其制備方法和顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010740410.5 | 申請日: | 2020-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN111864116A | 公開(公告)日: | 2020-10-30 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉威;宋泳錫 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京博思佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11415 | 代理人: | 武娜 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本發(fā)明涉及一種顯示基板及其制備方法和顯示裝置。顯示基板包括襯底、第一輔助電極、第二輔助電極以及第一電極。第一輔助電極位于襯底上,第二輔助電極與第一輔助電極連接,第二輔助電極包括第一導電層、第二導電層與隔斷層,第一導電層位于第一輔助電極遠離襯底的一側,第二導電層位于第一導電層遠離襯底的一側,隔斷層位于第二導電層遠離襯底的一側,第二導電層在襯底上的投影位于第一導電層在襯底上的投影內(nèi)且位于隔斷層在襯底上的投影內(nèi);第一電極包括第一導電部與第二導電部,第二導電部與第一導電部連接,第一導電部位于第一導電層上,第二導電部與第二導電層的側面接觸。根據(jù)本發(fā)明的實施例,可以增加第一電極與第一輔助電極的接觸面積。
技術領域
本發(fā)明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示基板及其制備方法和顯示裝置。
背景技術
相關技術中,有機電致發(fā)光顯示裝置包括頂發(fā)光結構和底發(fā)光結構。其中,頂發(fā)光結構需要透明陰極或者半透明陰極。然而,對于大尺寸(例如14英寸以上)顯示裝置而言,會因透明陰極的高電阻或半透明陰極的低厚度均一性問題,出現(xiàn)電壓降(IR Drop),導致顯示均勻性較差。為了解決上述問題,相關技術中采用輔助陰極與陰極電連接,以降低陰極的電阻。但是,如何減小輔助陰極與陰極的接觸電阻是需要解決的一個技術問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種顯示基板及其制備方法和顯示裝置,以解決相關技術中的不足。
根據(jù)本發(fā)明實施例的第一方面,提供一種顯示基板,包括至少一個像素,所述顯示基板還包括:
襯底;
第一輔助電極,位于所述襯底上;
第二輔助電極,位于所述第一輔助電極上,且與所述第一輔助電極連接,所述第二輔助電極包括第一導電層、第二導電層與隔斷層,所述第一導電層位于所述第一輔助電極遠離所述襯底的一側,所述第二導電層位于所述第一導電層遠離所述襯底的一側,所述隔斷層位于所述第二導電層遠離所述襯底的一側,所述第二導電層在所述襯底上的投影位于所述第一導電層在所述襯底上的投影內(nèi),且位于所述隔斷層在所述襯底上的投影內(nèi);
第一電極,與所述第二輔助電極連接,所述第一電極包括第一導電部與第二導電部,所述第二導電部與所述第一導電部連接,所述第一導電部位于所述第一導電層上,且沿所述第一導電層遠離所述襯底的表面延伸,所述第二導電部與所述第二導電層的側面接觸,且沿所述第二導電層的側面延伸,所述第一電極為所述像素的陰極。
在一個實施例中,所述第二輔助電極還包括:有機層,所述有機層位于所述第二導電層與所述隔斷層之間,所述有機層在所述襯底上的投影位于所述第一導電層在所述襯底上的投影內(nèi),且位于所述隔斷層在所述襯底上的投影內(nèi)。
在一個實施例中,所述第二導電層的厚度與所述有機層的厚度之和大于1微米。
在一個實施例中,所述有機層的厚度為1微米~2微米。
在一個實施例中,所述隔斷層在所述襯底上的投影的外緣與所述有機層在所述襯底上的投影的外緣之間的間距為0.5微米~0.6微米。
在一個實施例中,所述的顯示基板,還包括:絕緣層,所述絕緣層位于所述第一輔助電極遠離所述襯底的一側;所述第二輔助電極位于所述絕緣層遠離所述襯底的一側,且通過貫穿所述絕緣層的第一過孔與所述第一輔助電極連接。
在一個實施例中,所述的顯示基板還包括:薄膜晶體管,所述薄膜晶體管位于所述襯底與所述絕緣層之間。
在一個實施例中,所述的顯示基板還包括:第二電極,所述第二電極位于所述絕緣層遠離所述襯底的一側,且通過貫穿所述絕緣層的第二過孔與所述薄膜晶體管連接,所述第二電極為所述像素的陽極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
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