[發明專利]垂直腔面激光發射裝置及其制作方法

在審

• 申請號: 202010739830.1
• 申請日: 2020-07-28
• 公開（公告）號: CN111884047A
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 張義榮
• 申請（專利權）人: 傳周半導體科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183;H01S5/022;H01S5/026
• 代理公司: 北京久維律師事務所 11582
• 代理人: 邢江峰

1.一種垂直腔面激光發射裝置，其特征在于，包括：

一陶瓷基板；

發射第一波長的第一垂直腔面激光發射二極管，設置在所述陶瓷基板上；

發射第二波長的第二垂直腔面激光發射二極管，設置在所述陶瓷基板上；以及

一驅動控制電路，設置在所述陶瓷基板上，用于驅動所述第一垂直腔面發射激光二極管，并在所述第一垂直腔面發光二極管工作失效時，啟動所述第二垂直腔面發光二極管工作。

2.如權利要求1所述的垂直腔面激光發射裝置，其特征在于，在一接收裝置未接收到所述第一垂直腔面激光發射二極管發射的信號時，主機判定所述第一垂直腔面激光發射二極管工作失效，則輸出一命令給所述驅動控制電路，以啟動所述第二垂直腔面激光發射二極管工作。

3.如權利要求1所述的垂直腔面激光發射裝置，其特征在于，還包括塑封支架，設置在所述陶瓷基板上，用于固定所述第一垂直腔面激光發射二極管、第二垂直腔面激光發射二極管以及驅動控制電路。

4.如權利要求1所述的垂直腔面激光發射裝置，其特征在于，還包括擴散層，設置在所述塑封支架上并覆蓋所述第一垂直腔面激光發射二極管、第二垂直腔面激光發射二極管以及驅動控制電路，用于控制發射角度。

5.如權利要求1所述的垂直腔面激光發射裝置，其特征在于，所述陶瓷基板為氮化鋁陶瓷基板。

6.如權利要求1所述的垂直腔面激光發射裝置，其特征在于，所述第一波長為905nm。

7.如權利要求1所述的垂直腔面激光發射裝置，其特征在于，所述第二波長為680nm。

8.一種垂直腔面激光發射裝置的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一陶瓷基板并清洗干凈；

在所述陶瓷基板上固定用于發射第一波長的第一垂直腔面激光發射二極管；

在所述陶瓷基板上固定用于發射第二波長的第二垂直腔面激光發射二極管；

在所述陶瓷基板上固定一驅動控制電路，所述驅動控制電路用于驅動所述第一垂直腔面發射激光二極管，并在所述第一垂直腔面發光二極管工作失效時，啟動所述第二垂直腔面發光二極管工作。

9.如權利要求8所述的制作方法，其特征在于，還包括用一塑封支架固定所述第一垂直腔面激光發射二極管、第二垂直腔面激光發射二極管以及驅動控制電路。

10.如權利要求8所述的制作方法，其特征在于，還包括對所述塑封支架使用環氧密封膠密封。

11.如權利要求8所述的制作方法，其特征在于，還包括對所述塑封支架內部使用氮氣進行抽真空保護。

12.如權利要求8所述的制作方法，其特征在于，還包括在所述塑封支架上設置擴散層并覆蓋所述第一垂直腔面激光發射二極管、第二垂直腔面激光發射二極管以及驅動控制電路，以控制所述第一發射垂直腔面激光發射二極管、第二垂直腔面激光發射二極管的發射角度。

13.如權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述陶瓷基板為氮化鋁陶瓷基板。

14.如權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第一波長為905nm。

15.如權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第二波長為680nm。