[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲器裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010738503.4
• 申請日: 2020-07-28
• 公開（公告）號: CN112736081A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金哉勳;樸光浩;孫龍勳;宋炫知;李耕希;鄭承宰
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 張曉;劉林果

1.一種半導(dǎo)體存儲器裝置，所述半導(dǎo)體存儲器裝置包括：

位線，在第一方向上延伸；

第一導(dǎo)電圖案，在與第一方向相交的第二方向上延伸；

半導(dǎo)體圖案，將位線與第一導(dǎo)電圖案連接；

第二導(dǎo)電圖案，包括位于第一導(dǎo)電圖案中的插入部；以及

介電層，位于第一導(dǎo)電圖案與第二導(dǎo)電圖案之間，

其中，第二導(dǎo)電圖案的插入部具有隨著距半導(dǎo)體圖案的距離增大而增大的寬度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，第一導(dǎo)電圖案包括：第一部分，與半導(dǎo)體圖案相鄰；第二部分，具有比第一部分的寬度大的寬度；以及臺階部，將第一部分與第二部分連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，所述半導(dǎo)體存儲器裝置還包括：

柵電極，位于半導(dǎo)體圖案上，并且在與第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，所述半導(dǎo)體存儲器裝置還包括：

第一硅化物圖案，位于半導(dǎo)體圖案與位線之間；以及

第二硅化物圖案，位于半導(dǎo)體圖案與第一導(dǎo)電圖案之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，半導(dǎo)體圖案包括：

第一摻雜劑區(qū)，電連接到位線；

第二摻雜劑區(qū)，電連接到第一導(dǎo)電圖案；以及

溝道區(qū)，位于第一摻雜劑區(qū)與第二摻雜劑區(qū)之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，第一導(dǎo)電圖案包括第一部分和第二部分，第一部分與半導(dǎo)體圖案相鄰，第二部分具有比第一部分的寬度大的寬度；并且第一部分在第一方向上的寬度與半導(dǎo)體圖案在第一方向上的寬度基本相等。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，第二導(dǎo)電圖案還包括圍繞第一導(dǎo)電圖案的至少一部分的外部。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，第一導(dǎo)電圖案在第一方向上具有隨著距半導(dǎo)體圖案的距離增大而增大的寬度。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，第一導(dǎo)電圖案在與第一方向和第二方向相交的第三方向上具有恒定的寬度。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，插入部在第一方向上具有隨著距半導(dǎo)體圖案的距離增大而增大的寬度。

11.一種半導(dǎo)體存儲器裝置，所述半導(dǎo)體存儲器裝置包括：

第一絕緣圖案，豎直地堆疊在基底上；

半導(dǎo)體圖案，位于第一絕緣圖案之間并且沿第一方向布置，半導(dǎo)體圖案在與第一方向相交的第二方向上延伸；

位線，電連接到半導(dǎo)體圖案的第一端部；

第一導(dǎo)電圖案，分別位于半導(dǎo)體圖案的第二端部上；

第二導(dǎo)電圖案，包括位于第一導(dǎo)電圖案中的部分；以及

介電層，位于第一導(dǎo)電圖案與第二導(dǎo)電圖案之間，其中，每個第一導(dǎo)電圖案在第一方向上具有隨著距相應(yīng)的半導(dǎo)體圖案的距離增大而增大的寬度。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，第一導(dǎo)電圖案包括第一部分和第二部分，第一部分與半導(dǎo)體圖案相鄰，第二部分具有比第一部分的寬度大的寬度；并且第一部分在第一方向上的寬度與半導(dǎo)體圖案在第一方向上的寬度基本相等。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，所述半導(dǎo)體存儲器裝置還包括：

柵電極，位于半導(dǎo)體圖案上，并且在與第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，所述半導(dǎo)體存儲器裝置還包括：

第一硅化物圖案，位于每個半導(dǎo)體圖案與位線之間；以及

第二硅化物圖案，位于每個半導(dǎo)體圖案與相應(yīng)的第一導(dǎo)電圖案之間。