[發(fā)明專利]一種多孔自支撐PEDOT:PSS導(dǎo)電薄膜及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010738501.5
• 申請日: 2020-07-28
• 公開（公告）號: CN111863457A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李在房;曾昭兵;蘇振;黃殿武
• 申請（專利權(quán)）人: 嘉興學(xué)院
• 主分類號: H01G11/26
• 分類號: H01G11/26;H01G11/48;H01G11/86
• 代理公司: 杭州斯可睿專利事務(wù)所有限公司 33241
• 代理人: 戚正云

1.一種多孔自支撐PEDOT:PSS導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征是：具體包括如下步驟：

（1）、在PEDOT:PSS水溶液中摻入納米顆?；蛘呒{米顆粒的去離子水溶液，攪拌分散得到分散液；

（2）、將步驟（1）得到的分散液滴入稀硫酸中，使得PEDOT:PSS/納米顆粒析出，獲得PEDOT:PSS/納米顆粒的片狀析出物；

（3）、將步驟（2）中得到的片狀析出物加入去離子水后攪拌均勻，獲得PEDT:PSS/納米顆粒均勻膠體；

（4）、將步驟（3）所獲得的膠體用濾膜抽濾，放入烘箱烘干，制備成微米級別的PEDOT:PSS/納米顆粒復(fù)合薄膜；

（5）、將步驟（4）所獲得復(fù)合薄膜放入丙酮中浸泡，溶解濾膜，得到自支撐PEDOT:PSS/納米顆粒復(fù)合薄膜；

（6）、將步驟（5）所得的自支撐PEDOT:PSS/納米顆粒復(fù)合薄膜用去離子水清洗，放入烘箱烘干，得到最終導(dǎo)電薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多孔自支撐PEDOT:PSS導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征是：步驟（1）中納米顆粒為二氧化硅納米球、二氧化硅納米棒、聚苯乙烯微球；納米球的直徑為30-300nm，納米棒的直徑為30-300nm，納米棒的長徑比為10-30，納米顆粒添加量為與PEDOT：PSS水溶液的體積比為10%-30%；當(dāng)納米顆粒為二氧化硅納米球或二氧化硅納米棒時，將步驟（5）得到的自支撐PEDOT:PSS/納米顆粒復(fù)合薄膜放入HF水溶液中浸泡，除去納米顆粒，再進入步驟（6）。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多孔自支撐PEDOT:PSS導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征是：步驟（1）中攪拌24-48h后得到分散液。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多孔自支撐PEDOT:PSS導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征是：步驟（2）中所使用的稀硫酸的濃度為0.2-18mol/L。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多孔自支撐PEDOT:PSS導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征是：步驟（4）中濾膜采用孔徑為0.3-0.5μm的纖維素酯微孔濾膜，抽濾真空度要小于0.1MPa。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種多孔自支撐PEDOT:PSS導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征是：HF水溶液的質(zhì)量分數(shù)為20-55wt% ，浸泡時間為10-24h。

7.一種多孔自支撐PEDOT:PSS導(dǎo)電薄膜，其特征是：由權(quán)利要求1中所述步驟制備得到。