[發(fā)明專利]WAPC疊層透明電極及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010738212.5
• 申請日: 2020-07-28
• 公開（公告）號: CN111863317B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊建春;王燦;趙字寧;李小冰
• 申請（專利權(quán)）人: 重慶大學(xué)
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 重慶信航知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 50218
• 代理人: 吳彬

1.一種WAPC疊層透明電極，其特征在于：包括CuSCN薄膜層、設(shè)置在CuSCN薄膜層上的PEI薄膜層、設(shè)置在PEI薄膜層上的Ag膜層、以及設(shè)置在Ag膜層上的WO₃薄膜層；

所述CuSCN薄膜層的厚度為47nm，所述Ag膜層的厚度為9nm，所述WO₃薄膜層的厚度為35nm。

2.一種WAPC疊層透明電極的制備方法，其特征在于：

包括以下步驟：

1)將一定量的CuSCN溶解于二乙硫醚中，配置成CuSCN溶液；

2)稱取一定量的PEI溶解于無水乙醇中，配置成PEI乙醇溶液；

3)將干凈的cPI襯底放置在玻璃基片上，將CuSCN溶液旋涂在cPI表面，之后高溫退火得到CuSCN薄膜；

4)將PEI溶液旋涂在CuSCN薄膜之上制備PEI薄膜；

5)將旋涂有CuSCN和PEI的cPI襯底放入真空蒸鍍設(shè)備，先在PEI薄膜上蒸鍍出Ag膜，再在Ag膜上蒸鍍出WO₃薄膜；

所述步驟1)中配置成的CuSCN溶液的質(zhì)量-體積濃度為20mg/ml；

所述步驟2)中配置成的PEI乙醇溶液的質(zhì)量-體積濃度為2mg/ml；

所述步驟3)中CuSCN溶液以1.3krpm/min的轉(zhuǎn)速旋涂在cPI表面，所述的高溫退火為120℃；

所述步驟4)中PEI溶液以2krpm/min的轉(zhuǎn)速在CuSCN薄膜之上旋涂40s，制備出PEI薄膜；

所述步驟5)中是以蒸發(fā)速度真空蒸鍍制備Ag膜，是以的蒸發(fā)速度真空蒸鍍制備WO₃薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2中所述的WAPC疊層透明電極的制備方法，其特征在于：所述步驟3)中cPI襯底的厚度為25μm；所述步驟3)中制得的CuSCN薄膜的厚度為47nm；所述步驟5)中制得的Ag膜的厚度為9nm，制得的WO₃薄膜的厚度為35nm。