[發(fā)明專利]一種顯示基板及其制作方法、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010737943.8
• 申請日: 2020-07-28
• 公開（公告）號: CN111834292B
• 公開（公告）日: 2023-10-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 袁粲;李永謙;袁志東
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥京東方卓印科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H10K59/121;H10K59/131
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319
• 代理人: 李娜

1.一種顯示基板的制作方法，其特征在于，包括：

通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成源漏電極層；

形成覆蓋所述源漏電極層和所述襯底基板的緩沖層；

通過一次構(gòu)圖工藝形成貫穿所述緩沖層的第一過孔；

通過一次構(gòu)圖工藝在所述緩沖層上形成有源層，所述有源層通過所述第一過孔與所述源漏電極層連接；

形成覆蓋所述有源層和所述緩沖層的柵絕緣層；

通過一次構(gòu)圖工藝形成貫穿所述柵絕緣層的第二過孔；

通過一次構(gòu)圖工藝在所述柵絕緣層上形成柵極層，所述柵極層通過所述第二過孔與所述有源層連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述通過一次構(gòu)圖工藝形成貫穿所述柵絕緣層的第二過孔的步驟之后，還包括：

對所述第二過孔內(nèi)的所述有源層進(jìn)行導(dǎo)體化處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在所述通過一次構(gòu)圖工藝在所述柵絕緣層上形成柵極層的步驟之后，還包括：

以所述柵極層為掩膜，對未被所述柵極層覆蓋的所述柵絕緣層進(jìn)行刻蝕，以使部分的所述有源層露出；

對露出的所述有源層進(jìn)行導(dǎo)體化處理。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述源漏電極層的厚度為450nm至600nm，所述緩沖層的厚度為300nm至600nm，所述有源層的厚度為70nm至120nm，所述柵絕緣層的厚度為150nm至300nm，所述柵極層的厚度為450nm至600nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述源漏電極層包括VDD信號線、感應(yīng)信號線、數(shù)據(jù)線和存儲電容的第一極板；

所述柵極層包括柵極信號線、VDD信號連接線和感應(yīng)信號連接線。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述方法，其特征在于，在所述對露出的所述有源層進(jìn)行導(dǎo)體化處理的步驟之后，還包括：

形成覆蓋所述柵極層、所述有源層和所述緩沖層的鈍化層；

在所述鈍化層上形成平坦層；

形成貫穿所述平坦層和所述鈍化層的第三過孔；

在所述平坦層上形成陽極層，所述陽極層通過所述第三過孔與所述柵極層連接；

形成部分覆蓋所述陽極層和所述平坦層的像素界定層，所述像素界定層具有多個像素開口；

在所述像素開口內(nèi)形成發(fā)光層；

形成覆蓋所述像素界定層和所述發(fā)光層的陰極層。

7.一種顯示基板，其特征在于，包括：

襯底基板；

設(shè)置在所述襯底基板上的源漏電極層；

覆蓋所述源漏電極層和所述襯底基板的緩沖層；

設(shè)置在所述緩沖層上的有源層；所述有源層通過貫穿所述緩沖層的第一過孔與所述源漏電極層連接；

設(shè)置在所述有源層和所述緩沖層上的柵絕緣層；

設(shè)置在所述柵絕緣層上的柵極層；所述柵極層通過貫穿所述柵絕緣層的第二過孔與所述有源層連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括：

覆蓋所述柵極層、所述有源層和所述緩沖層的鈍化層；

設(shè)置在所述鈍化層上的平坦層；

設(shè)置在所述平坦層上的陽極層；所述陽極層通過貫穿所述平坦層和所述鈍化層的第三過孔與所述柵極層連接；

部分覆蓋所述陽極層和所述平坦層的像素界定層，所述像素界定層具有多個像素開口；

設(shè)置在所述像素開口內(nèi)的發(fā)光層；

覆蓋所述像素界定層和所述發(fā)光層的陰極層。

9.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求7或8所述的顯示基板。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的顯示面板。