[發明專利]具有指紋識別功能的OLED顯示面板、顯示裝置及制備方法

在審

• 申請號: 202010737863.2
• 申請日: 2020-07-28
• 公開（公告）號: CN111863912A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 任懷森;侯鵬;楊柯;夏維;韓永占;李杰
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L27/12;G06F3/041
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435
• 代理人: 劉進

1.一種具有指紋識別功能的OLED顯示面板，其特征在于，包括基板，所述基板上形成多個雙柵TFT和多個單柵TFT，每個所述雙柵TFT上方均設有PIN光電二極管，每個所述PIN光電二極管的N極均連接至所述雙柵TFT的頂柵極；

所述PIN光電二極管遠離所述雙柵TFT的一側設有發光層，所述發光層包括間隔設置的多個子像素，所述PIN光電二極管設置在所述子像素之間。

2.根據權利要求1所述的具有指紋識別功能的OLED顯示面板，其特征在于，所述PIN光電二極管與所述發光層之間設有上電極層，所述上電極層連接至所述PIN光電二極管的P極。

3.根據權利要求2所述的具有指紋識別功能的OLED顯示面板，其特征在于，所述上電極層為透明電極層。

4.根據權利要求1-3任一所述的具有指紋識別功能的OLED顯示面板，其特征在于，每個相鄰的子像素之間均設有所述PIN光電二極管和與所述PIN光電二極管相連的雙柵TFT。

5.根據權利要求4所述的具有指紋識別功能的OLED顯示面板，其特征在于，所述PIN光電二級管均包括順次連接的P型非晶硅膜層，非晶硅膜層和N型非晶硅膜層，所述非晶硅膜層的厚度為6K～10K埃。

6.一種OLED顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-5任一所述的具有指紋識別功能的OLED顯示面板。

7.一種權利要求1-5任一所述的具有指紋識別功能的OLED顯示面板的制備方法，其特征在于，包括步驟：

提供一基板，在所述基板上形成多個雙柵TFT和多個單柵TFT，

在每個所述雙柵TFT上方形成PIN光電二極管，所述PIN光電二極管的N極均連接至所述雙柵TFT的頂柵極；

所述PIN光電二極管遠離所述雙柵TFT的一側設有發光層，所述發光層包括間隔設置的多個子像素，所述PIN光電二極管設置在所述子像素之間。

8.根據權利要求7所述的具有指紋識別功能的OLED顯示面板的制備方法，其特征在于，在所述PIN光電二極管與所述發光層之間形成上電極層，所述上電極層連接至所述PIN光電二極管的N極，且所述上電極層為透明電極層。

9.根據權利要求8所述的具有指紋識別功能的OLED顯示面板的制備方法，其特征在于，在每個所述雙柵TFT上方形成PIN光電二極管具體包括步驟：

在所述雙柵TFT的頂柵層上沉積非晶硅膜層，

向所述非晶硅膜層靠近所述頂柵層的一側通入磷烷氣體，在所述非晶硅膜層靠近所述頂柵層的一側設置N型非晶硅膜層；

向所述非晶硅膜層遠離所述頂柵層的一側通入硼烷氣體，在所述非晶硅膜層遠離所述頂柵層的一側設置P型非晶硅膜層。

10.根據權利要求8所述的具有指紋識別功能的OLED顯示面板的制備方法，其特征在于，在每個所述雙柵TFT上方形成PIN光電二極管具體包括步驟：

在所述雙柵TFT的頂柵層上沉積非晶硅膜層，

采用植入設備在所述非晶硅膜層靠近所述頂柵層的一側進行摻雜，形成N型非晶硅膜層；

采用植入設備在所述非晶硅膜層遠離所述頂柵層的一側進行摻雜，形成P型非晶硅膜層。