[發(fā)明專利]具有接觸插塞的半導體器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010736608.6 | 申請日： | 2016-05-04 |
| 公開（公告）號： | CN111933615A | 公開（公告）日： | 2020-11-13 |
| 發(fā)明（設計）人： | 文慧林;崔明勛 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/535 | 分類號： | H01L23/535;H01L29/10;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 王新華 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 接觸 半導體器件 | ||
1.一種半導體器件，包括：
在基板上的第一鰭圖案和第二鰭圖案；
在所述基板上的第一突出部分，所述第一鰭圖案在所述第一突出部分和所述第二鰭圖案之間；
在所述基板上的場絕緣膜，所述場絕緣膜在所述第一鰭圖案和所述第二鰭圖案之間；以及
接觸，與所述第一鰭圖案的外延源/漏區(qū)域部分地重疊，與所述第二鰭圖案的外延源/漏區(qū)域完全地重疊，并且不與所述第一突出部分重疊。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一突出部分的頂點在所述場絕緣膜的頂表面下面。
3.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一鰭圖案的接收所述接觸的所述外延源/漏區(qū)域被部分地蝕刻。
4.根據(jù)權利要求3所述的半導體器件，其中所述第二鰭圖案的接收所述接觸的所述外延源/漏區(qū)域被部分地蝕刻。
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一鰭圖案和所述第二鰭圖案的所述外延源/漏區(qū)域的大部分在所述場絕緣膜的頂表面之上。
6.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中所述接觸包括具有波浪形式的底表面。
7.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，還包括第二突出部分，其中所述基板的在所述第一突出部分和所述第二突出部分之間的最低點低于所述基板的在所述第一突出部分和所述第一鰭圖案之間的最低點。
8.一種半導體器件，包括：
在基板上的第一鰭圖案；
在所述基板上的第一突出部分，所述第一突出部分緊鄰所述第一鰭圖案；
在所述基板上的場絕緣膜，所述場絕緣膜在所述第一鰭圖案的側(cè)壁的至少一部分上；以及
在所述第一鰭圖案上的接觸，所述接觸不電連接到所述第一突出部分。
9.根據(jù)權利要求8所述的半導體器件，其中所述第一突出部分的頂點在所述場絕緣膜的頂表面下面。
10.根據(jù)權利要求8所述的半導體器件，還包括所述第一鰭圖案的外延源/漏區(qū)域，其中所述第一鰭圖案的接收所述接觸的所述外延源/漏區(qū)域被部分地蝕刻。
11.根據(jù)權利要求10所述的半導體器件，還包括第二鰭圖案的外延源/漏區(qū)域，其中所述第二鰭圖案的接收所述接觸的所述外延源/漏區(qū)域被部分地蝕刻。
12.根據(jù)權利要求11所述的半導體器件，其中所述第一鰭圖案和所述第二鰭圖案的所述外延源/漏區(qū)域的大部分在所述場絕緣膜的頂表面之上。
13.根據(jù)權利要求8所述的半導體器件，其中所述接觸包括具有波浪形式的底表面。
14.根據(jù)權利要求8所述的半導體器件，還包括第二突出部分，其中所述基板的在所述第一突出部分和所述第二突出部分之間的最低點低于所述基板的在所述第一突出部分和所述第一鰭圖案之間的最低點。
15.一種半導體器件，包括：
在基板上的第一鰭圖案和第二鰭圖案；
在所述基板上的第一突出部分，所述第一鰭圖案在所述第一突出部分和所述第二鰭圖案之間；
在所述基板上的場絕緣膜，所述場絕緣膜在所述第一鰭圖案和所述第二鰭圖案之間；
所述第一鰭圖案的外延源/漏區(qū)域和所述第二鰭圖案的外延源/漏區(qū)域；以及
接觸，在所述第一鰭圖案的所述外延源/漏區(qū)域和所述第二鰭圖案的所述外延源/漏區(qū)域上，
其中所述接觸的底部在與所述第一鰭圖案和所述第二鰭圖案的所述外延源/漏區(qū)域的最大寬度相交的假想水平線之上。
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