[發明專利]顯示面板及其制作方法和顯示裝置有效
| 申請號: | 202010736464.4 | 申請日: | 2020-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN111863860B | 公開(公告)日: | 2022-12-02 |
| 發明(設計)人: | 屈財玉;郝艷軍;田雪雁;陳登云;張慧娟;劉政 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/46;H01L33/48;H01L33/60 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 尹璐 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
本發明提供了顯示面板及其制作方法和顯示裝置。該顯示面板劃分為多個像素區和位于多個所述像素區之間的非像素區,所述顯示面板包括襯底基板、像素界定層、發光元件和封裝結構,所述發光元件包括陰極、陽極和發光層,其特征在于,還包括:反射層,所述反射層位于所述非像素區中,設置在所述陰極與所述封裝結構之間,用于反射射入所述顯示面板中的光,且所述發光層遠離所述襯底基板的面為朝向所述封裝結構凸起的曲面。該顯示面板在較大視角處發出的光線不易衰減,且不易出現側向漏光的問題,顯示效果好;同時,制作工藝簡單、成本較低,易于實現產業化。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體地,涉及顯示面板及其制作方法和顯示裝置。
背景技術
在相關技術中,鏡面顯示技術是在顯示面板的像素區實現顯示,而在其非像素區進行鏡面反射的技術。然而,相關技術中可實現鏡面顯示技術的顯示面板,其制作工藝較為繁瑣、且成本較高;另外,現有的鏡面顯示技術也會導致顯示面板隨著視角的增大其發出的光線衰減得較為嚴重,即L-Decay的問題,嚴重影響顯示效果。
因而,現有的鏡面顯示的相關技術仍有待改進。
發明內容
本發明是基于發明人的以下發現而完成的:
在相關技術中,參照圖1,該顯示面板劃分為多個像素區A和位于多個所述像素區A之間的非像素區B,所述顯示面板10包括襯底基板100、像素界定層200、發光元件和封裝結構400,所述發光元件包括陰極310、陽極(圖中未示出)和發光層320、彩色濾光片600、黑矩陣700、反射層500,所述反射層500位于所述非像素區B中,設置在所述黑矩陣遠離所述襯底基板100的表面上,用于反射射入所述顯示面板中的光(例如將圖1中的光線98反射后形成光線99),其中,由于反射層500是不透光的,導致發光層320所發出的大部分光均沿著圖1中光線55的方向射出該顯示面板,少量傾斜于發光層320射出的光經過厚度較厚的封裝結構400以后也會射入反射層500中而無法射出顯示面板10,因此導致該顯示面板10隨著視角的增大其發出的光線衰減得較為嚴重,即產生L-Decay的問題,嚴重影響顯示效果;另外,設置在黑矩陣700遠離襯底基板100的表面上的反射層500,其需要通過構圖工藝形成,也即需要一次沉積、曝光、顯影、刻蝕、剝離的工藝流程,因而其成本較高、過程繁瑣,不利于產業化。
有鑒于此,本發明旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。為此,本發明的一個目的在于提出一種在較大視角處發出的光線不易衰減、不易出現側向漏光的問題、顯示效果好、制作工藝簡單、成本較低或者易于實現產業化的顯示面板。
在本發明的一個方面,本發明提供了一種顯示面板。根據本發明的實施例,該顯示面板劃分為多個像素區和位于多個所述像素區之間的非像素區,所述顯示面板包括襯底基板、像素界定層、發光元件和封裝結構,所述發光元件包括陰極、陽極和發光層,還包括:反射層,所述反射層位于所述非像素區中,設置在所述陰極與所述封裝結構之間,用于反射射入所述顯示面板中的光,且所述發光層遠離所述襯底基板的面為朝向所述封裝結構凸起的曲面。該顯示面板在較大視角處發出的光線不易衰減,且不易出現側向漏光的問題,顯示效果好;同時,制作工藝簡單、成本較低,易于實現產業化。
根據本發明的實施例,所述反射層設置在所述陰極遠離所述襯底基板的部分表面上。
根據本發明的實施例,所述顯示面板還包括:光取出層,所述光取出層設置在所述陰極遠離所述襯底基板的表面上,所述反射層設置在所述光取出層遠離所述襯底基板的部分表面上。
根據本發明的實施例,所述顯示面板還包括:光取出層,所述光取出層設置在所述陰極遠離所述襯底基板的表面上;和緩沖層,所述緩沖層設置在所述光取出層遠離所述襯底基板的表面上,所述反射層設置在所述緩沖層遠離所述襯底基板的部分表面上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





