[發(fā)明專利]顯示基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010736427.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-07-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111863908B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-11-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張?jiān)?/a> | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/00;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;張博 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,包括:
襯底基板;
位于所述襯底基板上的薄膜晶體管陣列層;
位于所述薄膜晶體管陣列層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的平坦層;
位于所述平坦層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的第一電極以及像素界定層的圖形,所述像素界定層的圖形限定出多個(gè)亞像素區(qū)域;
所述像素界定層的圖形包括沿第一方向延伸的第一像素界定層和沿第二方向延伸的第二像素界定層,所述第二像素界定層用以間隔開(kāi)不同顏色的亞像素,所述第一方向與所述第二方向垂直;
其中,所述第一像素界定層遠(yuǎn)離所述襯底基板的第一表面的表面高度小于所述第一電極遠(yuǎn)離所述襯底基板的第二表面的表面高度,所述第一電極遠(yuǎn)離所述襯底基板的第二表面的表面高度小于所述第二像素界定層遠(yuǎn)離所述襯底基板的第三表面的表面高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述平坦層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)表面形成有多個(gè)陣列排布的凸起,所述第一電極位于所述凸起上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第一表面的表面高度比所述第二表面的表面高度小0.1-0.6um;所述第二表面的表面高度比所述第三表面的表面高度小1-1.5um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第一像素界定層采用親液材料制作。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第二像素界定層采用疏液材料制作。
6.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的顯示基板。
7.一種顯示基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一襯底基板;
在所述襯底基板上形成薄膜晶體管陣列層;
在所述薄膜晶體管陣列層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成平坦層;
在所述平坦層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成第一電極以及像素界定層的圖形,所述像素界定層的圖形限定出多個(gè)亞像素區(qū)域;
所述像素界定層的圖形包括沿第一方向延伸的第一像素界定層和沿第二方向延伸的第二像素界定層,所述第二像素界定層用以間隔開(kāi)不同顏色的亞像素,所述第一方向與所述第二方向垂直;
其中,所述第一像素界定層遠(yuǎn)離所述襯底基板的第一表面的表面高度小于所述第一電極遠(yuǎn)離所述襯底基板的第二表面的表面高度,所述第一電極遠(yuǎn)離所述襯底基板的第二表面的表面高度小于所述第二像素界定層遠(yuǎn)離所述襯底基板的第三表面的表面高度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,形成所述平坦層包括:
形成表面具有多個(gè)陣列排布的凸起的所述平坦層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,利用親液材料形成所述第一像素界定層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,利用疏液材料形成所述第二像素界定層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





