[發(fā)明專利]內存顆粒訪問控制芯片、內存顆粒的訪問控制系統(tǒng)及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010735690.0
• 申請日: 2020-07-28
• 公開（公告）號: CN111949213B
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發(fā)明（設計）人: 張喆鵬;遲志剛
• 申請（專利權）人: 新華三半導體技術有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本申請?zhí)峁┝艘环N內存顆粒訪問控制芯片、內存顆粒的訪問控制系統(tǒng)及方法，所述芯片包括至少兩個存儲控制器和映射邏輯控制器，映射邏輯控制器分別與各個存儲控制器相連，以及映射邏輯控制器還與各個內存顆粒相連，其中：映射邏輯控制器，用于配置各個存儲控制器與各個內存顆粒的連接關系；每個存儲控制器，用于在需要訪問內存顆粒時，向映射邏輯控制器發(fā)送內存顆粒訪問請求；映射邏輯控制器，用于在接收到該存儲控制器發(fā)送的內存顆粒訪問請求時，根據(jù)為該存儲控制器配置的連接關系，對為該存儲控制器配置的連接關系中的內存顆粒執(zhí)行所述內存顆粒訪問請求所請求的操作。由此，實現(xiàn)了存儲控制器對各個內存顆粒的靈活訪問。

技術領域

本申請涉及集成電路技術領域，尤其涉及一種內存顆粒訪問控制芯片、內存顆粒的訪問控制系統(tǒng)及方法。

背景技術

現(xiàn)代計算機系統(tǒng)中，動態(tài)存儲器的容量越來越大，所需的內存顆粒也越來越多。而單顆粒內存的容量也是隨著工藝進步逐漸增長。在計算機系統(tǒng)中，存儲器的管理需要存儲控制器，比如常見的各種雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器(Double Data Rate SynchronousDynamic Random Access Memory，DDR SDRAM)的控制器，簡稱DDR控制器，還有近幾年推出的高帶寬存儲器(High Bandwidth Memory，HBM)的控制器，簡稱HBM控制器等。眾所周知存儲器的效率將會極大的影響系統(tǒng)性能，即，通過有效提高存儲器的利用率就能極大的改善計算機系統(tǒng)的性能。

而雙通道存儲控制器的出現(xiàn)，相比如單通道存儲器在同一時間只能讀，或者只能寫，有效提高了存儲器的利用率。雙通道存儲器是指內存的讀、寫使用不同的通道，可以同時讀和寫，內存帶寬翻倍。為實現(xiàn)系統(tǒng)性能的最大化，三通道、多通道的內存管理技術均有助于提升存儲器的利用率。

然而隨著多通道技術的出現(xiàn)，單個控制器無法滿足多通道的應用需求，即，多個通道可能需要多個存儲控制器進行控制及管理，但是現(xiàn)有技術中多個控制器是獨立工作的，每個控制器僅能控制1個通道及1個通道內的內存顆粒，靈活性較差。

因此，如何實現(xiàn)內存顆粒的靈活訪問，及存儲控制器的協(xié)同工作是值得考慮的技術問題之一。

發(fā)明內容

有鑒于此，本申請?zhí)峁┮环N內存顆粒訪問控制芯片、內存顆粒的訪問控制系統(tǒng)及方法，用以實現(xiàn)內存顆粒的靈活訪問，及存儲控制器的協(xié)同工作。

具體地，本申請是通過如下技術方案實現(xiàn)的：

根據(jù)本申請的第一方面，提供一種內存顆粒訪問控制芯片，包括至少兩個存儲控制器和映射邏輯控制器，所述映射邏輯控制器分別與各個存儲控制器相連，以及所述映射邏輯控制器還與各個內存顆粒相連，其中：

所述映射邏輯控制器，用于配置各個存儲控制器與各個內存顆粒的連接關系；

每個存儲控制器，用于在需要訪問內存顆粒時，向所述映射邏輯控制器發(fā)送內存顆粒訪問請求；

所述映射邏輯控制器，用于在接收到該存儲控制器發(fā)送的內存顆粒訪問請求時，根據(jù)為該存儲控制器配置的連接關系，對為該存儲控制器配置的連接關系中的內存顆粒執(zhí)行所述內存顆粒訪問請求所請求的操作。

根據(jù)本申請的第二方面，提供一種內存顆粒的訪問控制系統(tǒng)，包括多個本申請第一方面提供的內存顆粒訪問控制芯片和多個內存顆粒，各個內存顆粒訪問控制芯片中的映射邏輯控制器相連，且，各個映射邏輯控制器連接的內存顆粒不同；其中：

每個映射邏輯控制器，用于配置與其連接的存儲控制器與各個內存顆粒之間的連接關系；

任一內存顆粒訪問控制芯片中的存儲控制器，用于在需要訪問內存顆粒時，向該內存顆粒訪問控制芯片中的映射邏輯控制器發(fā)送內存顆粒訪問請求；