[發明專利]一種高功率保偏耦合器的制作方法在審
| 申請號： | 202010735345.7 | 申請日： | 2020-07-28 |
| 公開（公告）號： | CN111999814A | 公開（公告）日： | 2020-11-27 |
| 發明（設計）人： | 徐善輝;楊昌盛 | 申請（專利權）人： | 橫琴東輝科技有限公司 |
| 主分類號： | G02B6/28 | 分類號： | G02B6/28 |
| 代理公司： | 珠海飛拓知識產權代理事務所(普通合伙) 44650 | 代理人： | 陳李青 |
| 地址： | 519031 廣東省珠海市橫琴新*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 功率 耦合器 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種高功率保偏耦合器的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一、將兩根及以上保偏單模光纖涂覆層剝除長度30mm，使該剝除光纖裸露，且光纖裸露部分不能接觸其它物體，保證潔凈度；
步驟二、將剝除好的保偏單模光纖靠擾在一起，放置在拉錐夾具上，在高溫加熱下熔融，同時通過拉錐軟件控制夾具向兩側拉伸，在加熱區形成雙錐體形式；
步驟三、將步驟二中形成的雙錐體封裝到鋁盒中，所述鋁盒里面放置有藍寶石，光纖錐區和藍寶石面精密貼合在一起，然后在剝除涂覆層的裸露光纖兩端點上高膠；
步驟四、封裝好后，通過高功率光源進行測試，需要監控：損耗小于0.6dB、消光比大于18dB和器件溫度小于45度，最后完成高功率保偏耦合器的制作。
2.根據權利要求1所述的一種高功率保偏耦合器的制作方法，其特征在于，步驟三中的高膠折射率為：1.45-1.47。
3.根據權利要求1所述的一種高功率保偏耦合器的制作方法，其特征在于，步驟四中的高功率光源進行測試，需要監控：損耗小于0.5dB。
4.根據權利要求1所述的一種高功率保偏耦合器的制作方法，其特征在于，步驟四中的高功率光源進行測試，需要監控：消光比大于25dB。
5.根據權利要求1所述的一種高功率保偏耦合器的制作方法，其特征在于，步驟四中的高功率光源進行測試，需要監控：器件溫度小于35度。
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