[發明專利]一種石墨烯/碳包覆硅基負極及其制備方法在審
| 申請號： | 202010734729.7 | 申請日： | 2020-07-28 |
| 公開（公告）號： | CN114005965A | 公開（公告）日： | 2022-02-01 |
| 發明（設計）人： | 崔日俊;李國敏 | 申請（專利權）人： | 深圳格林德能源集團有限公司 |
| 主分類號： | H01M4/36 | 分類號： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525;C01B32/182 |
| 代理公司： | 北京慕達星云知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 崔自京 |
| 地址： | 518105 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 石墨 碳包覆硅基 負極 及其 制備 方法 | ||
1.一種石墨烯/碳包覆硅基負極及其制備方法，其特征在于，所述的硅基負極包括硅基材料、硅基材料表面包覆的無定型碳及石墨烯，所述的制備方法包括以下步驟：
S1：將鹽酸多巴胺溶液加至反應釜中，然后邊加入硅基材料至反應釜邊攪拌，待攪拌均勻后調節溶液pH值至8.5，繼續攪拌10~24h，清洗數次，烘干得到聚多巴胺包覆硅基材料；
S2：將氧化石墨烯分散至去離子水中制備得到氧化石墨烯分散液，將聚多巴胺包覆硅基材料加至氧化石墨烯分散液中，升高溫度至40~80℃，攪拌5~12h，用去離子水清洗數次，得到氧化石墨烯/聚多巴胺包覆硅基材料；
S3：將氧化石墨烯/聚多巴胺包覆硅基材料置于管式爐中，以一定的升溫速率升至一定溫度，保持1~5h即可得到石墨烯/碳包覆硅基負極。
2.根據權利要求1所述的一種石墨烯/碳包覆硅基負極及其制備方法，其特征在于，所述的硅基材料選自氧化亞硅、硅納米顆粒、硅納米線中的一種或多種。
3.根據權利要求1所述的一種石墨烯/碳包覆硅基負極及其制備方法，其特征在于，所述的鹽酸多巴胺溶液的濃度為1~5g/L。
4.根據權利要求1所述的一種石墨烯/碳包覆硅基負極及其制備方法，其特征在于，所述的鹽酸多巴胺與硅基材料的的質量比為0.1~1:1。
5.根據權利要求1所述的一種石墨烯/碳包覆硅基負極及其制備方法，其特征在于，所述的氧化石墨烯的濃度為0.1~2g/L。
6.根據權利要求1所述的一種石墨烯/碳包覆硅基負極及其制備方法，其特征在于，所述的管式爐升溫速率為2~5℃/min。
7.根據權利要求1所述的一種石墨烯/碳包覆硅基負極及其制備方法，其特征在于，所述的升溫溫度為600~1000℃。
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