[發明專利]多跨阻恒定帶寬超低噪聲TIA

有效

• 申請號: 202010734263.0
• 申請日: 2020-07-27
• 公開（公告）號: CN111835293B
• 公開（公告）日: 2023-06-20
• 發明（設計）人: 李景虎;于建海;涂航輝
• 申請（專利權）人: 廈門億芯源半導體科技有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 于歌

1.多跨阻恒定帶寬超低噪聲TIA，其特征在于，包括頻率補償結構，所述頻率補償結構置于運算放大器-A內部；在跨阻R_F1兩端并聯電容C1，在跨阻R_F2兩端并聯電容C2，調整電容C1和C2的大小以滿足開關S1閉合前和閉合后TIA帶寬恒定；

所述頻率補償結構包括PMOS管MP1～MP4、NMOS管MN1～MN3、電阻R4～R5和電容C6～C7；

PMOS管MP3的柵極和PMOS管MP4的柵極同時連接偏置電壓輸入端VB，PMOS管MP3的源極和PMOS管MP4的源極同時連接電源VCC；

PMOS管MP1的柵極連接信號輸入端VN，PMOS管MP1的源極和PMOS管MP2的源極同時連接PMOS管MP3的漏極；PMOS管MP1的漏極同時連接NMOS管MN1的漏極、柵極和NMOS管MN2的柵極；NMOS管MN1～MN3的源極同時連接GND；

PMOS管MP2的柵極連接信號輸入端VP，PMOS管MP2的漏極同時與NMOS管MN2的漏極、開關S2的一端、電容C6的一端和NMOS管MN3的柵極相連，開關S2的另一端與電容C7的一端相連，電容C7的另一端與電阻R5的一端相連，電容C6的另一端與電阻R4的一端相連，PMOS管MP4的漏極、NMOS管MN3的漏極、電阻R4的另一端和電阻R5的另一端同時連接輸出端OUTP；

開關S2與開關S1同步動作。

2.根據權利要求1所述多跨阻恒定帶寬超低噪聲TIA，其特征在于，在跨阻R_F1兩端進一步并聯電路結構：電容C3和電阻R1串聯后并聯在跨阻R_F1兩端；

在跨阻R_F2兩端進一步并聯電路結構：電阻R3和電容C5串聯后并聯在電容C4的兩端，再與電阻R2串聯后并聯在跨阻R_F2兩端；

通過調整電容C1～C5的大小來滿足開關S1閉合前和閉合后TIA帶寬恒定。