[發明專利]一種電微調參考電壓模數轉換裝置

有效

• 申請號: 202010733876.2
• 申請日: 2020-07-27
• 公開（公告）號: CN111800138B
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 齊敏;喬東海
• 申請（專利權）人: 中國科學院聲學研究所
• 主分類號: H03M1/34
• 分類號: H03M1/34
• 代理公司: 北京億騰知識產權代理事務所(普通合伙) 11309
• 代理人: 陳霽

1.一種MEMS閉環數字加速度計系統，其特征在于，所述系統包括MEMS敏感芯片、讀出電路ASIC和FPGA數字電路；其中，所述讀出電路ASIC包括：電容電壓轉換電路，以及電微調參考電壓模數轉換裝置；

其中，所述電微調參考電壓模數轉換裝置包括模數轉換器，以及向所述模數轉換器提供參考電壓的電微調參考電壓電路；所述電微調參考電壓電路包括：帶隙基準源、可調正參考電壓產生電路、負參考電壓產生電路和電微調電路；其中，

所述帶隙基準源用于產生帶隙電壓；

所述可調正參考電壓產生電路用于接收第一控制電壓和第二控制電壓，根據所述第一控制電壓和第二控制電壓處理帶隙電壓，生成正參考電壓；

所述電微調電路包括：電流源、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第五電阻、第六電阻、第一電熔絲以及第二電熔絲；其中，第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管的源極接工作電壓；第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管的柵極連接第一PMOS管的漏極；第一PMOS管的漏極連接第二NMOS管的漏極；第二PMOS管的漏極連接第三NMOS管的漏極；第三PMOS管的漏極連接第四NMOS管的漏極；第一NMOS管的漏極，第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管的柵極連接電流源；第一NMOS管和第二NMOS管的源極接地；第三NMOS管的源極依序連接第五電阻和第一電熔絲后接地；第四NMOS管的源極依序連接第六電阻和第二電熔絲后接地；根據第五電阻和第一電熔絲連接點施加的第一輸入電壓，確定第一電熔絲連通或熔斷，得到所述第二PMOS管和第三NMOS管連接點的所述第一控制電壓；和/或，根據第六電阻和第二電熔絲連接點施加的第二輸入電壓，確定第二電熔絲連通或熔斷，得到所述第三PMOS管和第四NMOS管連接點的所述第二控制電壓；

所述負參考電壓產生電路包括第二放大器、第三電阻和第四電阻；其中，第三電阻的一端接入所述正參考電壓；第三電阻的另一端連接第二放大器的負輸入端；第二放大器的正輸入端接地；第二放大器的輸出端連接第四電阻的一端，第四電阻的另一端連接第二放大器的負輸入端；第二放大器的輸出端電壓作為負參考電壓；

對封裝后的所述系統進行測試；根據測試中所述電容電壓轉換電路的輸出，確定所述電微調參考電壓模數轉換裝置的參考電壓；通過電微調的方式修正并固化所述參考電壓。

2.根據權利要求1所述的系統，其特征在于，所述可調正參考電壓產生電路包括第一開關、第二開關、第一放大器、接地電阻、第一電阻和第二電阻；其中，

第一放大器的正輸入端接入所述帶隙電壓；第一放大器的負輸入端依序經過第一開關和接地電阻后接地；第一放大器的輸出端依序經過第二電阻和第一電阻后連接第一放大器的負輸入端；第一放大器的輸出端電壓作為正參考電壓；第二電阻與第二開關并聯；

第一開關根據第一控制電壓調節通斷；第二開關根據第二控制電壓調節通斷。

3.根據權利要求2所述的系統，其特征在于，通過調節所述第一控制電壓和第二控制電壓的電位，控制所述第一開關和第二開關的通斷，調節所述正參考電壓和負參考電壓。