[發(fā)明專利]基于HTCC工藝的三維垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010733315.2
• 申請(qǐng)日: 2020-07-27
• 公開（公告）號(hào): CN112038319A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 厲志強(qiáng);張帥;喬明昌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
• 主分類號(hào): H01L23/498
• 分類號(hào): H01L23/498;H01L23/66;H01L23/552;H01L21/48
• 代理公司: 石家莊國(guó)為知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120
• 代理人: 付曉娣

1.基于HTCC工藝的三維垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括基板組和兩個(gè)微帶線，所述基板組上設(shè)置有由上至下垂直貫穿所述基板組的信號(hào)傳輸通孔、以及環(huán)繞所述信號(hào)傳輸通孔設(shè)置的多個(gè)屏蔽通孔，多個(gè)所述屏蔽通孔與所述信號(hào)傳輸通孔形成類同軸結(jié)構(gòu)，用于屏蔽電磁干擾，多個(gè)所述屏蔽通孔和所述信號(hào)傳輸通孔內(nèi)分別填充有導(dǎo)電體，兩個(gè)所述微帶線通過(guò)位于所述信號(hào)傳輸通孔內(nèi)的導(dǎo)電體實(shí)現(xiàn)信號(hào)傳輸；所述基板組包括層疊設(shè)置的多個(gè)基板，每個(gè)所述基板的上表面和下表面上均設(shè)置有金屬化層，其中用于接地的金屬化層上開設(shè)有沿厚度方向貫穿相應(yīng)金屬化層的通孔，所述通孔與所述信號(hào)傳輸通孔同軸設(shè)置，所述通孔的直徑大于所述信號(hào)傳輸通孔的直徑，且所述通孔的側(cè)壁與相應(yīng)導(dǎo)電體的裸露部分的側(cè)壁之間形成等效電容。

2.如權(quán)利要求1所述的基于HTCC工藝的三維垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基板組的上表面和下表面上均設(shè)置有向內(nèi)凹陷、用于安裝相應(yīng)所述微帶線的安裝槽。

3.如權(quán)利要求2所述的基于HTCC工藝的三維垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)，其特征在于：位于上方的所述微帶線的頂面與所述基板組的上表面齊平，位于下方的所述微帶線的底面與所述基板組的下表面齊平。

4.如權(quán)利要求2所述的基于HTCC工藝的三維垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述安裝槽包括位于多個(gè)所述屏蔽通孔圍成的空腔內(nèi)的圓形部、以及與所述圓形部連通的平直部，所述平直部沿所述圓形部的徑向延伸至所述基板組的側(cè)面。

5.如權(quán)利要求1所述的基于HTCC工藝的三維垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基板組上還設(shè)置有由上至下貫穿所述基板組的接地通孔，所述接地通孔位于多個(gè)屏蔽通孔圍成的空腔外。

6.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的基于HTCC工藝的三維垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基于HTCC工藝的三維垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)為適于0-20GHz信號(hào)傳輸?shù)牡谝唤Y(jié)構(gòu)體，或適于20-40GHz信號(hào)傳輸?shù)牡诙Y(jié)構(gòu)體，當(dāng)所述基于HTCC工藝的三維垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)為第一結(jié)構(gòu)體時(shí)，所述微帶線為適于0-20GHz信號(hào)傳輸?shù)牡谝痪€體；當(dāng)所述基于HTCC工藝的三維垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)為第二結(jié)構(gòu)體時(shí)，所述微帶線為適于20-40GHz信號(hào)傳輸?shù)牡诙€體。

7.基于HTCC工藝的三維垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

采用HTCC氧化鋁工藝，制備權(quán)利要求6所述的基于HTCC工藝的三維垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)中的基板組、信號(hào)傳輸通孔、屏蔽通孔；

開設(shè)所述通孔，其中所述通孔的直徑大于所述信號(hào)傳輸通孔的直徑且小于多個(gè)所述屏蔽通孔圍成空腔的內(nèi)徑；

將所述信號(hào)傳輸通孔與微帶線進(jìn)行阻抗匹配，確定微帶線的結(jié)構(gòu)；

根據(jù)信號(hào)所處頻段，選取相應(yīng)的微帶線安裝至所述基板組上，使分設(shè)于所述基板組上表面和下表面的兩個(gè)微帶線通過(guò)所述信號(hào)傳輸通孔實(shí)現(xiàn)信號(hào)傳輸。

8.如權(quán)利要求7所述的基于HTCC工藝的三維垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述通孔開設(shè)時(shí)依據(jù)公式為

其中，C為所述通孔的側(cè)壁與相應(yīng)導(dǎo)電體的穿出端之間形成的等效電容，R為所述通孔的直徑，D為所述信號(hào)傳輸通孔內(nèi)導(dǎo)電體的直徑，ε_r為所述基板組的介電常數(shù)，ε₀為空氣介電常數(shù)，h為所述微帶線的介質(zhì)厚度，t為所述微帶線的厚度。