[發明專利]SiC JBS器件的高溫高濕反偏應力損傷表征方法

在審

• 申請號: 202010733221.5
• 申請日: 2020-07-27
• 公開（公告）號: CN112051495A
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發明（設計）人: 游海龍;李文臻;曲程
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學;西安電子科技大學蕪湖研究院
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;H01L29/872;H01L29/16
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 李園園

1.一種SiC JBS器件的高溫高濕反偏應力損傷表征方法，其特征在于，包括：

獲取表面完整的第一SiC JBS二極管；

測量所述第一SiC JBS二極管的初始電學特性參數；

測量所述第一SiC JBS二極管的初始噪聲特性參數；

對所述第一SiC JBS二極管在預設溫度、預設濕度、預設反向偏壓條件下暴露預設時間，得到第二SiC JBS二極管；

測量所述第二SiC JBS二極管的電學特性參數；

測量所述第二SiC JBS二極管的噪聲特性參數；

根據所述第一SiC JBS二極管的初始電學特性參數和所述第二SiC JBS二極管的電學特性參數得到電學特性參數漂移程度；

根據所述第一SiC JBS二極管的初始噪聲特性參數和所述第二SiC JBS二極管的噪聲特性參數得到噪聲特性參數漂移程度。

2.根據權利要求1所述的高溫高濕反偏應力損傷表征方法，其特征在于，獲取表面完整的第一SiC JBS二極管，包括：

獲取所述第一SiC JBS二極管；

檢查所述第一SiC JBS二極管的外表面，得到表面完整的所述第一SiC JBS二極管。

3.根據權利要求1所述的高溫高濕反偏應力損傷表征方法，其特征在于，測量所述第一SiC JBS二極管的初始電學特性參數，包括：

測量得到所述第一SiC JBS二極管的正向壓降、反向漏電流、反向擊穿電壓。

4.根據權利要求1所述的高溫高濕反偏應力損傷表征方法，其特征在于，測量所述第一SiC JBS二極管的初始噪聲特性參數，包括：

測量所述第一SiC JBS二極管的噪聲；

根據所述第一SiC JBS二極管的噪聲得到所述第一SiC JBS二極管的噪聲幅值。

5.根據權利要求1所述的高溫高濕反偏應力損傷表征方法，其特征在于，對所述第一SiC JBS二極管在預設溫度、預設濕度、預設反向偏壓條件下暴露預設時間，得到第二SiCJBS二極管，包括：

在溫度為85℃±2℃、濕度為85％RH±5、反向偏壓為80％VRRM的條件下暴露168小時，得到第二SiC JBS二極管。

6.根據權利要求3所述的高溫高濕反偏應力損傷表征方法，其特征在于，測量所述第二SiC JBS二極管的電學特性參數，包括：

測量得到所述第二SiC JBS二極管的正向壓降、反向漏電流、反向擊穿電壓。

7.根據權利要求4所述的高溫高濕反偏應力損傷表征方法，其特征在于，測量所述第二SiC JBS二極管的噪聲特性參數，包括：

測量所述第二SiC JBS二極管的噪聲；

根據所述第二SiC JBS二極管的噪聲得到所述第二SiC JBS二極管的噪聲幅值。

8.根據權利要求5所述的高溫高濕反偏應力損傷表征方法，其特征在于，根據所述第一SiC JBS二極管的初始電學特性參數和所述第二SiC JBS二極管的電學特性參數得到電學特性參數漂移程度，包括：

根據所述第一SiC JBS二極管的正向壓降和所述第二SiC JBS二極管的正向壓降得到所述正向壓降的漂移程度；或/和，

根據所述第一SiC JBS二極管的反向漏電流和所述第二SiC JBS二極管的反向漏電流得到所述反向漏電流的漂移程度；或/和，

根據所述第一SiC JBS二極管的反向擊穿電壓和所述第二SiC JBS二極管的反向擊穿電壓得到所述反向擊穿電壓的漂移程度。

9.根據權利要求6所述的高溫高濕反偏應力損傷表征方法，其特征在于，根據所述第一SiC JBS二極管的初始噪聲特性參數和所述第二SiC JBS二極管的噪聲特性參數得到噪聲特性參數漂移程度，包括：

根據所述第一SiC JBS二極管的噪聲幅值和所述第二SiC JBS二極管的噪聲幅值得到所述噪聲幅值的漂移程度。