[發明專利]靈敏放大器、存儲器和靈敏放大器的控制方法

有效

• 申請號: 202010733140.5
• 申請日: 2020-07-27
• 公開（公告）號: CN111863050B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發明（設計）人: 彭春雨;趙陽擴;盧文娟;吳秀龍;藺智挺;陳軍寧;李新;季汝敏;何軍;應戰
• 申請（專利權）人: 安徽大學;長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G11C7/08
• 分類號: G11C7/08;G11C7/06
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 王輝;闞梓瑄

1.一種靈敏放大器，其特征在于，包括：

放大模塊；

偏移電壓存儲單元，與所述放大模塊電連接；

所述放大模塊包括：

第一PMOS管；

第二PMOS管，所述第二PMOS管的源極與所述第一PMOS管的源極連接；

第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏極與所述第一PMOS管的漏極、所述偏移電壓存儲單元的第一端連接，所述第一NMOS管的柵極與所述第一PMOS管的柵極連接；

第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏極與所述第二PMOS管的漏極連接，所述第二NMOS管的源極與所述第一NMOS管的源極連接，所述第二NMOS管的柵極與所述偏移電壓存儲單元的第二端連接；

其中，在所述靈敏放大器的偏移消除階段，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管被配置為電流鏡，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管均被配置為二極管連接方式，以將所述放大模塊的偏移電壓存儲在所述偏移電壓存儲單元中。

2.根據權利要求1所述的靈敏放大器，其特征在于，所述第一PMOS管的漏極與所述第一NMOS管的漏極連接于第一節點，所述第二PMOS管的漏極與所述第二NMOS管的漏極連接于第二節點；所述靈敏放大器還包括：

第一開關，所述第一開關的第一端與所述第一節點連接，所述第一開關的第二端與所述第一NMOS管的柵極連接；

第二開關，所述第二開關的第一端與所述第二節點連接，所述第二開關的第二端與所述第二NMOS管的柵極連接；

第三開關，所述第三開關的第一端與所述第一PMOS管的柵極連接，所述第三開關的第二端與所述第二PMOS管的柵極連接；

其中，在所述靈敏放大器的偏移消除階段，所述第一開關、所述第二開關、所述第三開關均處于閉合狀態。

3.根據權利要求2所述的靈敏放大器，其特征在于，所述靈敏放大器還包括：

上拉單元，用于響應上拉控制信號，控制所述第一PMOS管的源極與電源電壓的連接狀態；

下拉單元，用于響應下拉控制信號，控制所述第一NMOS管的源極是否接地；

其中，在所述靈敏放大器的偏移消除階段，所述第一PMOS管的源極與所述電源電壓連接，所述第一NMOS管的源極接地。

4.根據權利要求2所述的靈敏放大器，其特征在于，所述第一開關還包括控制端，用于響應第一控制信號控制所述第一開關的開關狀態；

所述第二開關還包括控制端，用于響應第二控制信號控制所述第二開關的開關狀態；

所述第三開關還包括控制端，用于響應所述第二控制信號控制所述第三開關的開關狀態。

5.根據權利要求3所述的靈敏放大器，其特征在于，所述靈敏放大器還包括：

第四開關，所述第四開關的第一端與所述第一NMOS管的柵極連接，所述第四開關的第二端與所述第二節點連接；

第五開關，所述第五開關的第一端與所述第二PMOS管的柵極連接，所述第五開關的第二端與所述第二NMOS管的柵極連接；

其中，在所述靈敏放大器的偏移消除階段，所述第四開關和所述第五開關均斷開。

6.根據權利要求5所述的靈敏放大器，其特征在于，所述第四開關還包括控制端，用于響應第三控制信號控制所述第四開關的開關狀態；

所述第五開關還包括控制端，用于響應所述第三控制信號控制所述第五開關的開關狀態。

7.根據權利要求6所述的靈敏放大器，其特征在于，所述靈敏放大器還包括：

第六開關，所述第六開關的第一端與第一位線連接，所述第六開關的第二端與所述第一節點連接；

第七開關，所述第七開關的第一端與第二位線連接，所述第七開關的第二端與所述第二節點連接；

其中，在所述靈敏放大器的偏移消除階段，所述第六開關和所述第七開關均斷開。

8.根據權利要求7所述的靈敏放大器，其特征在于，所述第六開關還包括控制端，用于響應第四控制信號控制所述第六開關的開關狀態；

所述第七開關還包括控制端，用于響應所述第四控制信號控制所述第七開關的開關狀態。