[發(fā)明專利]一種用于藍(lán)寶石基底的增透薄膜及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010731907.0 | 申請日： | 2020-07-27 |
| 公開（公告）號： | CN111856628A | 公開（公告）日： | 2020-10-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 徐照英;劉垚;王錦標(biāo);蘇永要 | 申請（專利權(quán)）人： | 重慶文理學(xué)院 |
| 主分類號： | G02B1/115 | 分類號： | G02B1/115;C23C14/35;C23C14/10;C23C14/06 |
| 代理公司： | 重慶晶智匯知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 50229 | 代理人： | 李靖 |
| 地址： | 40216*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 藍(lán)寶石 基底 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種用于藍(lán)寶石基底的增透薄膜，其特征在于：所述增透薄膜包括五層薄膜層；所述五層薄膜層由藍(lán)寶石材料基面（1）向外依次為SiO2薄膜層（2）、第一SiOxNy薄膜層（3）、第二SiOxNy薄膜層（4）、第三SiOxNy薄膜層（5）、第四SiOxNy薄膜層（6）；其中，所述第一SiOxNy薄膜層（3）到第四SiOxNy薄膜層（6）中氮元素的原子百分?jǐn)?shù)依次遞減、氧元素的原子百分?jǐn)?shù)依次遞增，且氮元素的原子百分?jǐn)?shù)應(yīng)不大于40at.%、氧元素的原子百分?jǐn)?shù)應(yīng)不大于60at.%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于藍(lán)寶石基底的增透薄膜，其特征在于：所述SiO2薄膜層（2）厚度可為130～170nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于藍(lán)寶石基底的增透薄膜，其特征在于：所述第一SiOxNy薄膜層（3）、第二SiOxNy薄膜層（4）、第三SiOxNy薄膜層（5）、第四SiOxNy薄膜層（6）的厚度分別可為10～30nm、40～85nm、90～140nm、146～200nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于藍(lán)寶石基底的增透薄膜的制備方法，其特征在于：首先對藍(lán)寶石材料以及靶材進(jìn)行清洗，出去表面雜質(zhì)；然后采用非平衡磁控濺射設(shè)備進(jìn)行SiO2薄膜層（2）的沉積、通入氣源為氧氣和氬氣；再沉積SiOxNy薄膜層、通入氣源為氬氣、氧氣與氮?dú)猓ㄟ^調(diào)節(jié)氮?dú)狻⒀鯕馀c氬氣的氣體流量速率，依次沉積第一SiOxNy薄膜層（3）、第二SiOxNy薄膜層（4）、第三SiOxNy薄膜層（5）以及第四SiOxNy薄膜層（6）；即得增透薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于藍(lán)寶石基底的增透薄膜的制備方法，其特征在于：所述清洗的具體步驟為：先采用無水乙醇清洗藍(lán)寶石材料，然后將清洗后的藍(lán)寶石材料放置于非平衡磁控濺射設(shè)備的真空室的樣品臺上，以硅（99.99%）作為靶材；關(guān)閉真空室，抽真空至3.0x10-3Pa后，打開偏壓電源，在藍(lán)寶石材料上施加750～850V的直流電壓以及90～110V的偏壓，打開氣閥，持續(xù)通入氬氣、氬氣氣體流量為45～55sccm，對藍(lán)寶石材料清洗18～22min后，關(guān)閉電源；然后打開靶材電源，施加0.5A的電流對靶材進(jìn)行預(yù)濺射清洗9～11min，除去表面雜質(zhì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于藍(lán)寶石基底的增透薄膜的制備方法，其特征在于：所述SiO2薄膜層（2）的沉積具體為：基體材料清洗完成后，通入氧氣、氧氣通入量為55～65sccm，接著通入氬氣，當(dāng)真空室氣壓上升至1.0～1.5Pa時，以高純Si（99.99%）靶為陰極，通過加熱裝置調(diào)節(jié)沉積溫度為170～190℃，調(diào)整負(fù)偏壓到48～52V，打開靶濺射電源、設(shè)定電流為0.6～0.8A，沉積時間35～45 min。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于藍(lán)寶石基底的增透薄膜的制備方法，其特征在于：所述SiOxNy薄膜層的沉積具體為：調(diào)節(jié)非平衡磁控濺射設(shè)備的壓強(qiáng)為5x10-3Pa，通入氮?dú)狻⒀鯕夂蜌鍤猓划?dāng)真空室氣壓上升至1.0～1.5Pa時，以高純Si（99.99%）靶為陰極，通過加熱裝置調(diào)節(jié)沉積溫度為170～190℃，調(diào)整負(fù)偏壓到48～52V，打開靶濺射電源、設(shè)定電流為0.6～0.8A；通過控制氮?dú)狻⒀鯕夂蜌鍤獾牧髁克俾剩练e不同氮含量、氧含量的SiOxNy薄膜層。
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