[發(fā)明專(zhuān)利]光電轉(zhuǎn)換元件和固體攝像裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010731351.5 | 申請(qǐng)日: | 2016-05-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112002809A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-11-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 長(zhǎng)谷川雄大;松澤伸行;尾花良哲;竹村一郎;中山典一;下川雅美;山口哲司;八木巖;茂木英昭 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 索尼半導(dǎo)體解決方案公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L51/42 | 分類(lèi)號(hào): | H01L51/42;H01L51/46;H01L27/30 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290 | 代理人: | 陳睆;曹正建 |
| 地址: | 日本神*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光電 轉(zhuǎn)換 元件 固體 攝像 裝置 | ||
1.一種光電轉(zhuǎn)換元件,其包括:
相互面對(duì)的第一電極和第二電極;以及
光電轉(zhuǎn)換層,所述光電轉(zhuǎn)換層被設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間,且還包括具有互不相同的母體骨架的第一有機(jī)半導(dǎo)體材料、第二有機(jī)半導(dǎo)體材料和第三有機(jī)半導(dǎo)體材料,
所述第一有機(jī)半導(dǎo)體材料是富勒烯或富勒烯衍生物,
所述第二有機(jī)半導(dǎo)體材料在單層膜形式下在可見(jiàn)光區(qū)域內(nèi)的極大光吸收波長(zhǎng)的線(xiàn)吸收系數(shù)高于所述第一有機(jī)半導(dǎo)體材料的單層膜和所述第三有機(jī)半導(dǎo)體材料的單層膜在可見(jiàn)光區(qū)域內(nèi)的極大光吸收波長(zhǎng)的線(xiàn)吸收系數(shù),并且
所述第三有機(jī)半導(dǎo)體材料的HOMO能級(jí)是在所述第二有機(jī)半導(dǎo)體材料的HOMO能級(jí)以上的值。
2.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件,其中,所述第三有機(jī)半導(dǎo)體材料在單層膜形式下的空穴遷移率高于所述第二有機(jī)半導(dǎo)體材料的單層膜的空穴遷移率。
3.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件,其中,在所述光電轉(zhuǎn)換層中,通過(guò)所述第二有機(jī)半導(dǎo)體材料的光吸收而產(chǎn)生的激子在選自所述第一有機(jī)半導(dǎo)體材料、所述第二有機(jī)半導(dǎo)體材料和所述第三有機(jī)半導(dǎo)體材料中的兩個(gè)有機(jī)半導(dǎo)體材料之間的界面處被分離。
4.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件,其中,所述光電轉(zhuǎn)換層的極大吸收波長(zhǎng)在450nm以上且650nm以下的范圍內(nèi)。
5.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件,其中,所述第三有機(jī)半導(dǎo)體材料在所述第三有機(jī)半導(dǎo)體材料的分子中包含除碳(C)和氫(H)外的異質(zhì)元素。
6.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件,其中,所述光電轉(zhuǎn)換層包括的所述第一有機(jī)半導(dǎo)體材料在10體積%以上且35體積%以下的范圍內(nèi)。
7.一種固體攝像裝置,其設(shè)置有多個(gè)像素,各所述像素包括一個(gè)或多個(gè)有機(jī)光電轉(zhuǎn)換器,各所述有機(jī)光電轉(zhuǎn)換器包括:
相互面對(duì)的第一電極和第二電極;以及
光電轉(zhuǎn)換層,所述光電轉(zhuǎn)換層被設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間,且還包括具有互不相同的母體骨架的第一有機(jī)半導(dǎo)體材料、第二有機(jī)半導(dǎo)體材料和第三有機(jī)半導(dǎo)體材料,
所述第一有機(jī)半導(dǎo)體材料是富勒烯或富勒烯衍生物,
所述第二有機(jī)半導(dǎo)體材料在單層膜形式下在可見(jiàn)光區(qū)域內(nèi)的極大光吸收波長(zhǎng)的線(xiàn)吸收系數(shù)高于所述第一有機(jī)半導(dǎo)體材料的單層膜和所述第三有機(jī)半導(dǎo)體材料的單層膜在可見(jiàn)光區(qū)域內(nèi)的極大光吸收波長(zhǎng)的線(xiàn)吸收系數(shù),并且
所述第三有機(jī)半導(dǎo)體材料的HOMO能級(jí)是在所述第二有機(jī)半導(dǎo)體材料的HOMO能級(jí)以上的值。
8.如權(quán)利要求7所述的固體攝像裝置,其中,在各所述像素中層疊著所述一個(gè)或多個(gè)有機(jī)光電轉(zhuǎn)換器和一個(gè)或多個(gè)無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換器,所述無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換器在與所述有機(jī)光電轉(zhuǎn)換器的波長(zhǎng)區(qū)域不同的波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換。
9.如權(quán)利要求8所述的固體攝像裝置,其中,
所述一個(gè)或多個(gè)無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換器以埋入半導(dǎo)體基板內(nèi)的方式而被形成,并且
所述一個(gè)或多個(gè)有機(jī)光電轉(zhuǎn)換器被形成在所述半導(dǎo)體基板的第一表面?zhèn)壬稀?/p>
10.如權(quán)利要求9所述的固體攝像裝置,其中,
所述一個(gè)或多個(gè)有機(jī)光電轉(zhuǎn)換器針對(duì)綠色光進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換,并且
在所述半導(dǎo)體基板內(nèi),層疊有針對(duì)藍(lán)色光進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換的無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換器和針對(duì)紅色光進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換的無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換器。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專(zhuān)門(mén)適用于感應(yīng)紅外線(xiàn)輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專(zhuān)門(mén)適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 圖像轉(zhuǎn)換設(shè)備、圖像轉(zhuǎn)換電路及圖像轉(zhuǎn)換方法
- 數(shù)模轉(zhuǎn)換電路及轉(zhuǎn)換方法
- 轉(zhuǎn)換設(shè)備和轉(zhuǎn)換方法
- 占空比轉(zhuǎn)換電路及轉(zhuǎn)換方法
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- 轉(zhuǎn)換模塊以及轉(zhuǎn)換電路
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