[發明專利]用于PVD濺射腔室的可偏壓式通量優化器/準直器

在審

• 申請號: 202010731212.2
• 申請日: 2016-10-27
• 公開（公告）號: CN112030123A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 馬丁·李·里克;張富宏;安東尼·因凡特;王征
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種準直器組件，所述準直器組件包括：

準直器部分，所述準直器部分包括：

主體結構，所述主體結構具有限定并分開多個第一孔隙和多個第二孔隙中的各個孔隙的壁，所述主體結構包括：

第一區域，所述第一區域具有所述多個第一孔隙，所述多個第一孔隙具有第一深寬比；和

設置在所述第一區域的徑向外側的第二區域，所述第二區域具有所述多個第二孔隙，所述多個第二孔隙具有第二深寬比，所述第一深寬比不同于所述第二深寬比，并且設置在所述第一區域中的所述第一孔隙的數量大于設置在所述第二區域中的所述第二孔隙的數量。

2.根據權利要求1所述的準直器組件，進一步包括第三區域，所述第三區域具有多個第三孔隙，其中所述第三區域徑向設置在所述第一區域和所述第二區域之間。

3.根據權利要求2所述的準直器組件，其中所述多個第一孔隙中的各個孔隙包括六邊形。

4.根據權利要求3所述的準直器組件，其中所述多個第三孔隙的所述壁形成圓錐形狀。

5.根據權利要求1所述的準直器組件，其中所述多個第一孔隙的所述第一深寬比為從約2.5:1至約3:1。

6.根據權利要求2所述的準直器組件，其中所述多個第二孔隙的所述第二深寬比為從約1:1至約2:1。

7.根據權利要求1所述的準直器組件，進一步包括：

遮蔽部分，所述遮蔽部分與所述準直器部分耦接，所述遮蔽部分包括：

頂環；

支撐凸緣，所述支撐凸緣位于所述頂環下方，所述支撐凸緣徑向向外延伸；以及

圓柱形帶，所述圓柱形帶從所述支撐凸緣向下延伸到所述主體結構下方的高度處，其中所述圓柱形帶包括：

第一基本豎直部分；以及

徑向向內傾斜部分，從所述第一基本豎直部分向下延伸，其中所述徑向向內傾斜部分從所述第一基本豎直部分向下延伸，其中所述徑向向內傾斜部分跨所述第二區域中的所述多個第二孔隙的一部分延伸。

8.根據權利要求7所述的準直器組件，其中所述準直器組件是可偏壓的，并且所述第一基本豎直部分的尺寸和形狀被設置為使得所述第一基本豎直部分被處理腔室的導電凸緣支撐并耦接至所述導電凸緣，所述導電凸緣用于向所述第一基本豎直部分提供偏壓電位。

9.一種基板處理腔室，所述基板處理腔室包括：

濺射靶，設置在腔室主體內；

可偏壓準直器組件，用于包圍濺射靶，所述可偏壓準直器組件包括：

準直器，所述準直器包括：

主體結構，所述主體狀結構具有限定并分開孔隙的紋理化壁，其中所述孔隙包括：

中心區域，具有多個第一孔隙，所述多個第一孔隙具有第一深寬比；

外周邊區域，位于所述中心區域的徑向外側，所述外周邊區域具有多個第二孔隙，所述多個第二孔隙具有第二深寬比，其中所述第二深寬比小于所述第一深寬比，并且設置在所述中心區域中的所述第一孔隙的數量大于設置在周邊區域中的所述第二孔隙的數量。

10.根據權利要求9所述的基板處理腔室，其中所述準直器組件進一步包括遮蔽部分，所述遮蔽部分與所述準直器耦接，所述遮蔽部分包括：

頂環；

支撐凸緣，所述支撐凸緣位于所述頂環下方，所述支撐凸緣徑向向外延伸；以及

圓柱形帶，所述圓柱形帶從所述支撐凸緣向下延伸到所述主體結構下方的高度處，其中所述圓柱形帶包括：

第一基本豎直部分；以及

徑向向內傾斜部分，從所述第一基本豎直部分向下延伸，其中所述徑向向內傾斜部分從所述第一基本豎直部分向下延伸，其中所述徑向向內傾斜部分跨所述周邊區域中的所述多個第二孔隙的一部分延伸。

11.根據權利要求10所述的基板處理腔室，進一步包括導電凸緣，所述導電凸緣被構造成耦接至準直器電源，其中所述準直器組件被所述導電凸緣支撐并耦接至所述導電凸緣。