[發明專利]單晶爐停爐預防熱場損壞方法

在審

• 申請號: 202010731096.4
• 申請日: 2020-07-27
• 公開（公告）號: CN111826707A
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: 趙貝;李增衛;趙群
• 申請（專利權）人: 邢臺晶龍新能源有限責任公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B28/10;C30B29/06
• 代理公司: 上海華誠知識產權代理有限公司 31300
• 代理人: 徐穎聰

1.一種單晶爐停爐預防熱場損壞方法，其特征在于，所述單晶爐包括：用于盛裝熔融硅液的石英坩堝，設置在所述石英坩堝上方的水冷熱屏，設置在所述單晶爐底部的副加熱器，以及設置在所述石英坩堝四周且位于所述水冷熱屏下方的主加熱器，

所述方法包括：

步驟1，在所述石英坩堝內有剩料熔融硅液時，拉制晶體，所述晶體的第一長度進入所述水冷熱屏；

步驟2，所述晶體拉制到第二長度后，停止拉制所述晶體，使得所述晶體靜止，且所述晶體的一端與熔融硅液液面接觸，所述第一長度小于第二長度；

步驟3，在所述晶體靜止后，所述單晶爐底部的副加熱器加熱功率下降為零；

步驟4，所述單晶爐四周的主加熱器分三個階段降低功率，直至所述主加熱器加熱功率下降為零；

步驟5，冷卻一定時間后拆單晶爐。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述副加熱器在拉制所述晶體時，加熱功率是15kw。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述主加熱器在拉制所述晶體時，加熱功率是45-60kw。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述石英坩堝內的剩料熔融硅液為250-450kg時，所述晶體的第二長度在300-500mm之間。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一長度在200-400mm之間。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟4中所述三個階段為階梯式降低功率，其中，第一個階段，主加熱器功率在30min時下降10kw。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述步驟4中，在所述第一階段之后的第二個階段，主加熱器功率在60min時繼續下降15kw。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述步驟4中，在所述第二階段之后的第三階段，所述主加熱器功率在90min時，功率下降為零停止加熱。

9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述水冷熱屏內設有循環冷卻水，以對所述晶體快速降溫。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，拉制所述晶體為位錯單晶或多晶。