[發(fā)明專利]電力模塊和適用于電力模塊的基板結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010730802.3
• 申請(qǐng)日: 2020-07-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112951812A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪坰國(guó);金永錫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 現(xiàn)代自動(dòng)車株式會(huì)社;起亞自動(dòng)車株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L25/07
• 分類號(hào): H01L25/07;H01L23/467;H02M7/00;H02M7/48
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶;趙愛(ài)玲

1.一種適用于電力模塊的基板結(jié)構(gòu)，包括：

上基板和下基板，

其中所述下基板包括：器件區(qū)域，多個(gè)半導(dǎo)體器件設(shè)置在所述器件區(qū)域上；源信號(hào)電極，將源信號(hào)傳輸?shù)蕉鄠€(gè)所述半導(dǎo)體器件；以及柵信號(hào)電極，將柵信號(hào)傳輸?shù)蕉鄠€(gè)所述半導(dǎo)體器件，

所述源信號(hào)電極和所述柵信號(hào)電極中的任一個(gè)通過(guò)導(dǎo)電柱連接到所述上基板，并且

通過(guò)所述源信號(hào)電極和所述柵信號(hào)電極中的任一個(gè)傳輸?shù)男盘?hào)通過(guò)所述上基板傳輸?shù)剿霭雽?dǎo)體器件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，

所述導(dǎo)電柱保持所述上基板與所述下基板之間的間隙。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，

所述導(dǎo)電柱鄰近所述下基板的拐角設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，

所述源信號(hào)電極和所述柵信號(hào)電極中連接到所述導(dǎo)電柱的電極僅設(shè)置在所述下基板的邊緣。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，

所述源信號(hào)電極和所述柵信號(hào)電極中未連接到所述導(dǎo)電柱的電極被設(shè)置為圍繞所述器件區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，

未連接到所述導(dǎo)電柱的電極通過(guò)導(dǎo)線電連接到多個(gè)所述半導(dǎo)體器件。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，

連接到所述導(dǎo)電柱的電極設(shè)置在鄰近將源信號(hào)和柵信號(hào)傳輸?shù)剿鱿禄宓囊€框架的所述下基板的一個(gè)邊緣上。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，

所述下基板進(jìn)一步包括輸入端子區(qū)域，將電力施加到所述下基板的輸入端子設(shè)置在所述輸入端子區(qū)域中，并且

連接到所述導(dǎo)電柱的電極設(shè)置在與所述輸入端子區(qū)域相對(duì)的所述下基板的邊緣，并且下基板在引線框架和所述輸入端子之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，

所述下基板進(jìn)一步包括：第一邊緣，鄰近輸入端子區(qū)域，將電力施加到所述下基板的輸入端子設(shè)置在所述輸入端子區(qū)域中；以及第二邊緣，與所述第一邊緣相對(duì)設(shè)置，并且

所述源信號(hào)電極和所述柵信號(hào)電極中連接到所述導(dǎo)電柱的電極設(shè)置在所述第二邊緣。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，

所述源信號(hào)電極和所述柵信號(hào)電極中連接到所述導(dǎo)電柱的電極不設(shè)置在將所述第一邊緣和所述第二邊緣彼此連接的第三邊緣和第四邊緣。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，

所述器件區(qū)域包括設(shè)置高側(cè)半導(dǎo)體器件的高側(cè)器件區(qū)域和設(shè)置低側(cè)半導(dǎo)體器件的低側(cè)器件區(qū)域，

所述源信號(hào)電極包括鄰近所述高側(cè)器件區(qū)域的高側(cè)源信號(hào)電極和鄰近所述低側(cè)器件區(qū)域的低側(cè)源信號(hào)電極，并且

所述柵信號(hào)電極包括鄰近所述高側(cè)器件區(qū)域的高側(cè)柵信號(hào)電極和鄰近所述低側(cè)器件區(qū)域的低側(cè)柵信號(hào)電極。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，

所述導(dǎo)電柱包括鄰近所述高側(cè)器件區(qū)域的高側(cè)導(dǎo)電柱和鄰近所述低側(cè)器件區(qū)域的低側(cè)導(dǎo)電柱，

所述高側(cè)導(dǎo)電柱電連接到所述高側(cè)源信號(hào)電極和所述高側(cè)柵信號(hào)電極中的一個(gè)，并且

所述低側(cè)導(dǎo)電柱電連接到所述低側(cè)源信號(hào)電極和所述低側(cè)柵信號(hào)電極中的一個(gè)。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，

未連接到所述導(dǎo)電柱的電極設(shè)置在所述下基板的邊緣，所述下基板的邊緣設(shè)置在從所述高側(cè)器件區(qū)域朝向所述低側(cè)器件區(qū)域的方向上。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，

多個(gè)所述半導(dǎo)體器件上設(shè)置有隔離件，并且

所述隔離件電連接到所述上基板。