[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示面板

有效

• 申請號: 202010729664.7
• 申請日: 2020-07-27
• 公開（公告）號: CN111834446B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發明（設計）人: 朱成順;蔣雷;李朋
• 申請（專利權）人: 成都中電熊貓顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L29/49
• 分類號: H01L29/49;H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12;G02F1/1368;G02F1/1362
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 張娜;劉芳

1.一種薄膜晶體管，設置在襯底基板上，包括柵極、半導體層、源極和漏極，其特征在于，所述柵極設置在所述襯底基板上，所述半導體層、源極和漏極位于所述柵極上方，其中，所述柵極包括依次層疊在所述襯底基板上的粘結層和導電層，所述粘結層為銅合金層，所述導電層為銅層；所述粘結層包含銅元素、鎂元素和鋁元素，其中，鎂元素的原子數百分比為6.3at％，鋁元素的原子數百分比為16.7at％，銅元素的原子數百分比為77at％，刻蝕后形成的圖形化的柵極中，所述導電層和所述粘結層的邊緣形成坡度較為一致的蝕刻角，所述導電層和所述粘結層之間沒有明顯的邊緣界限，兩者之間不會形成尖角；

所述粘結層的厚度為10nm-40nm，所述導電層的厚度為200nm-850nm。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極和所述漏極分別位于所述半導體層兩側，且所述源極和所述半導體層之間、所述漏極和所述半導體層之間均具有重疊區域。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括柵絕緣層和鈍化層，所述柵絕緣層覆蓋在所述柵極上，所述半導體層、源極和漏極設置在所述柵絕緣層上，所述鈍化層覆蓋在所述半導體層、源極和漏極上。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極和所述漏極均包括依次層疊在所述柵絕緣層上的金屬過渡層和金屬主層。

5.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

在襯底基板上形成柵極，其中，包括依次在所述襯底基板上形成粘結層和導電層，所述粘結層為銅合金層，所述導電層為銅層；所述粘結層包含銅元素、鎂元素和鋁元素，其中，鎂元素的原子數百分比為6.3at％，鋁元素的原子數百分比為16.7at％，銅元素的原子數百分比為77at％，刻蝕后形成的圖形化的柵極中，所述導電層和所述粘結層的邊緣形成坡度較為一致的蝕刻角，所述導電層和所述粘結層之間沒有明顯的邊緣界限，兩者之間不會形成尖角；

在所述柵極上方形成半導體層、源極和漏極；

所述依次在所述襯底基板上形成粘結層和導電層，具體包括：

在所述襯底基板上形成厚度為10nm-40nm的粘結層；

在所述粘結層上形成厚度為200nm-850nm的導電層。

6.根據權利要求5所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述依次在所述襯底基板上形成粘結層和導電層，具體包括：

采用磁控濺射在所述襯底基板上沉積所述銅合金層；其中，控制成膜功率為15KW-55KW、成膜溫度為26℃-100℃、成膜壓力為0.2Pa-0.4Pa；

采用磁控濺射在所述銅合金層上沉積所述銅層；其中，控制成膜功率為15KW-55KW、成膜溫度為26℃-100℃、成膜壓力為0.2Pa-0.4Pa；

對所述銅合金層和所述銅層進行光刻工藝形成層疊的所述粘結層和所述導電層。

7.一種陣列基板，其特征在于，包括權利要求1-4任一項所述的薄膜晶體管。

8.一種顯示面板，其特征在于，包括彩膜基板、液晶層和權利要求7所述的陣列基板，所述彩膜基板和所述陣列基板相對設置，所述液晶層夾設在所述彩膜基板和所述陣列基板之間。