[發(fā)明專利]低溫多晶氧化物陣列基板及其制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010729635.0
• 申請日: 2020-07-27
• 公開（公告）號(hào): CN111725243A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉翔
• 申請（專利權(quán)）人: 成都中電熊貓顯示科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 朱穎;劉芳

1.一種低溫多晶氧化物陣列基板，其特征在于，包括襯底基板以及設(shè)置在襯底基板上的薄膜晶體管組件，所述薄膜晶體管組件包括第一半導(dǎo)體層、第一源極、第一漏極、第二半導(dǎo)體層、第二源極、第二漏極和公共柵極，所述第一源極和所述第一漏極分別連接在所述第一半導(dǎo)體層兩側(cè)，所述第二源極和所述第二漏極分別連接在所述第二半導(dǎo)體層兩側(cè)；

所述第一半導(dǎo)體層、第一源極、第一漏極和公共柵極形成第一薄膜晶體管，所述第二半導(dǎo)體層、第二源極、第二漏極和公共柵極形成第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管沿所述陣列基板的層疊方向設(shè)于所述第一薄膜晶體管上方，且所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管中的一者在襯底基板上的正投影位于另一者在襯底基板上的正投影的覆蓋范圍內(nèi)；

其中，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層中的一者為多晶硅半導(dǎo)體層，另一者為金屬氧化物半導(dǎo)體層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶氧化物陣列基板，其特征在于，所述公共柵極沿所述陣列基板的層疊方向設(shè)于所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間，所述公共柵極用于驅(qū)動(dòng)所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低溫多晶氧化物陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管組件還包括設(shè)置在所述襯底基板上的緩沖層，所述第一半導(dǎo)體層設(shè)置在所述緩沖層上；其中，所述緩沖層包括依次層疊在所述襯底基板上的第一緩沖層和第二緩沖層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低溫多晶氧化物陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管組件還包括依次層疊設(shè)置在所述緩沖層上的柵絕緣層和柵極保護(hù)層，所述柵絕緣層覆蓋所述第一半導(dǎo)體層，所述公共柵極設(shè)置在所述柵絕緣層上，所述柵極保護(hù)層覆蓋所述公共柵極；其中，所述柵極保護(hù)層和所述柵絕緣層中設(shè)置有連通至所述第一半導(dǎo)體層的接觸孔，所述第一源極和所述第一漏極設(shè)置在所述柵極保護(hù)層中并通過所述接觸孔與所述第一半導(dǎo)體層接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低溫多晶氧化物陣列基板，其特征在于，所述柵極保護(hù)層包括依次層疊在所述柵絕緣層上的第一柵極保護(hù)層和第二柵極保護(hù)層，所述第一源極和所述第一漏極設(shè)置在所述第一柵極保護(hù)層和所述第二柵極保護(hù)層之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低溫多晶氧化物陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管組件還包括依次層疊設(shè)置在所述柵極保護(hù)層上的氧化物絕緣層和金屬氧化物保護(hù)層，所述第二半導(dǎo)體層及所述第二源極、所述第二漏極均設(shè)置在所述氧化物絕緣層上，所述金屬氧化物保護(hù)層覆蓋所述第二半導(dǎo)體層及所述第二源極、所述第二漏極。

7.一種低溫多晶氧化物陣列基板的制作方法，用于制作權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的低溫多晶氧化物陣列基板，其特征在于，包括如下步驟：

在襯底基板上形成第一薄膜晶體管；其中，所述第一薄膜晶體管包括第一半導(dǎo)體層、第一源極、第一漏極和公共柵極，所述第一源極和所述第一漏極分別連接在所述第一半導(dǎo)體層兩側(cè)；

在所述第一薄膜晶體管上形成第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管與所述第一薄膜晶體管在垂直于襯底基板的方向上具有重疊區(qū)域；其中，所述第二薄膜晶體管包括第二半導(dǎo)體層、第二源極、第二漏極和所述公共柵極，所述第二源極和所述第二漏極分別連接在所述第二半導(dǎo)體層兩側(cè)且所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層中的一者為多晶硅半導(dǎo)體層，另一者為金屬氧化物半導(dǎo)體層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的低溫多晶氧化物陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述第一薄膜晶體管上形成第二薄膜晶體管，具體包括：

在所述第一薄膜晶體管上形成位于所述第一薄膜晶體管的覆蓋范圍內(nèi)的第二薄膜晶體管；或者，

在所述第一薄膜晶體管上形成完全覆蓋所述第一薄膜晶體管的第二薄膜晶體管。