[發明專利]一種納鹽沉淀制備單分散好的低鈉納米氧化鐿的方法在審
| 申請號： | 202010729326.3 | 申請日： | 2020-07-27 |
| 公開（公告）號： | CN112010338A | 公開（公告）日： | 2020-12-01 |
| 發明（設計）人： | 王鷺 | 申請（專利權）人： | 常州市卓群納米新材料有限公司 |
| 主分類號： | C01F17/224 | 分類號： | C01F17/224;C01F17/10;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 常州市英諾創信專利代理事務所(普通合伙) 32258 | 代理人： | 謝新萍 |
| 地址： | 213144 江蘇省常*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 沉淀 制備 分散 納米 氧化鐿 方法 | ||
1.一種納鹽沉淀制備單分散好的低鈉納米氧化鐿的方法，其特征在于，所述方法步驟如下：
(1)先配制濃度為0.1-0.3mol/L的氯化鐿溶液，滴加濃度為0.1mol/L的氫氧化鈉調節PH至2后，向氯化鐿溶液中加入硅烷偶聯劑，分散均勻；
(2)配制濃度為0.4-0.8mol/L的碳酸氫鈉或碳酸鈉溶液；
(3)將步驟(2)配制好的溶液快速滴加入步驟(1)的氯化鐿溶液中，滴加PH至6.5-7.5后停止，繼續攪拌30min，陳化1.5小時；
(4)把陳化后的料漿放置入板框壓濾機中，進料壓濾母液，然后進行吹氣壓水至無水瀝出，之后控制水洗溫度進行水洗至用硝酸銀滴加后無沉淀即可；
(5)取出的濾餅裝缽后，放至推車爐，升溫后保溫，再繼續升溫進行灼燒，所得氧化鐿粉體冷卻后經粉體分散制得低鈉納米氧化鐿。
2.如權利要求1所述的納鹽沉淀制備單分散好的低鈉納米氧化鐿的方法，其特征在于，步驟(1)所述的硅烷偶聯劑為聚醚官能化的三甲氧基硅烷或γ-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷，其用量為氧化鐿質量的2％-5％。
3.如權利要求1所述的納鹽沉淀制備單分散好的低鈉納米氧化鐿的方法，其特征在于，步驟(3)所述的滴加速度為6-8L/min。
4.如權利要求1所述的納鹽沉淀制備單分散的低鈉納米氧化鐿的方法，其特征在于，步驟(4)所述水洗溫度為50-70℃。
5.如權利要求1所述的納鹽沉淀制備單分散好的低鈉納米氧化鐿的方法，其特征在于，步驟(5)所述保溫的溫度為300-400℃，保溫時間為2-3小時。
6.如權利要求1所述的納鹽沉淀制備單分散好的低鈉納米氧化鐿的方法，其特征在于，步驟(5)所述灼燒溫度800-900，灼燒時間2-3小時。
7.一種如權利要求1所述方法制備的低納納米氧化鐿，其特征在于，所述低納納米氧化鐿比表面積大于50，粒徑為10-30nm，鈉離子含量小于100ppm。
8.一種如權利要求1所述方法制備的低納納米氧化鐿的應用，其特征在于，所述低納納米氧化鐿用作高端電子產品的原材料。
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