[發明專利]一種防反接電路

在審

• 申請號: 202010728428.3
• 申請日: 2020-07-27
• 公開（公告）號: CN111682517A
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 韋洪勝;劉萬國;張杭
• 申請（專利權）人: 南京影宸影視器材有限公司
• 主分類號: H02H11/00
• 分類號: H02H11/00
• 代理公司: 江蘇東銀律師事務所 32381
• 代理人: 劉威佐

本發明公開了一種防反接電路，防反接電路連接至由第一引腳和第二引腳組成的對外接口J1，防反接電路包括NMOS管M1和PMOS管M5、第一二極管D4和第二二極管D5，其中：第一二極管D4的負極、第二二極管D5的正極、NMOS管M1的柵極、PMOS管M5的柵極均連接至對外接口J1的第一引腳；NMOS管M1的漏極、PMOS管M5的漏極均連接至對外接口J1的第二引腳；NMOS管M1的源極連接第一二極管D4的正極，PMOS管M5的源極連接第二二極管D5的負極；負載RL兩端分別連接第一二極管D4的正極、第二二極管D5的負極。本發明的對外接口J1被正接還是反接，都能保證負載RL正常工作。

技術領域

本發明涉及保護電路領域，具體是一種防反接電路。

背景技術

在沒有防反接電路的設計中，如果用戶接反電源正、負極，可能會發生意外事故或者燒壞電子產品。為了防止這些意外發生，提高產品的可靠性，我們可以設計一個防反接的電路。我們可以用二極管設計防反接，也可以用場效應管設計防反接電路。使用二極管設計防反接電路雖然簡單、成本低，但會占用較多的壓降。場效應管導通內阻很小，通常只有幾個毫歐姆，壓降非常小。

CN 205160498 U提供一種防反接電路，其中 ：防反接電路連接至由第一引腳和第二引腳組成的對外接口 ；防反接電路包括 ：第一 NMOS 管、第二 NMOS管、第一二極管和第二二極管 ；第一 NMOS 管的漏極、第二 NMOS 管的柵極和第一二極管的正極分別連接至對外接口的第一引腳 ；第一 NMOS 管的柵極、第二 NMOS 管的漏極和第二二極管的正極分別連接至對外接口的第二引腳 ；第一二極管的負極和第二二極管的負極分別連接至負載的第一端 ；第一 NMOS 管的源極和第二 NMOS 管的源極分別連接至負載的第二端。

該電路采用兩個場效應管和兩個二極管組合實現防反接，但是該電路的特定接線結構，會導致輸入電壓局限于5-30V，存在實際應用范圍小的缺陷。

發明內容

本申請為解決背景技術中存在的問題，提出了一種防反接電路。

技術方案：

一種防反接電路，防反接電路連接至由第一引腳和第二引腳組成的對外接口J1，防反接電路包括NMOS管M1和PMOS 管M5、第一二極管D4和第二二極管D5，其中：

-第一二極管D4的負極、第二二極管D5的正極、NMOS管M1的柵極、PMOS 管M5的柵極均連接至對外接口J1的第一引腳；

-NMOS管M1的漏極、PMOS 管M5的漏極均連接至對外接口J1的第二引腳；

-NMOS管M1的源極連接第一二極管D4的正極，PMOS 管M5的源極連接第二二極管D5的負極；

-負載RL兩端分別連接第一二極管D4的正極、第二二極管D5的負極。

優選的，防反接電路還包括第一限流電阻R4和第二限流電阻R5，所述PMOS 管M5的柵極通過第一限流電阻R4連接至至對外接口J1的第一引腳；所述NMOS管M1的柵極通過第二限流電阻R5連接至至對外接口J1的第一引腳。

更優的，防反接電路還包括第一穩壓二極管D6和第二穩壓二極管D7，第一穩壓二極管D6接在PMOS 管M5的柵極和源極之間；第二穩壓二極管D7接在NMOS管M1的柵極和源極之間。

本發明的有益效果

當本發明的防反接電路應用在電子設備當中時，電子設備的負載可以通過防反接電路連接到對外接口J1，實現當該對外接口J1連接到外部接口時，無論該對外接口J1被正接還是反接，都能保證負載 RL 正常工作。

本發明所采用的MOS管和二極管的接線結構，將輸入電壓范圍擴大到MOS管的VDS值，使電路更符合實際環境中的應用。