[發(fā)明專利]一種批量轉(zhuǎn)移石墨烯至載網(wǎng)銅襯底的裝置及方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010727856.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-07-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111847437B | 公開(公告)日: | 2022-01-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔡金明;陳其贊;郝振亮;梁潔園;蕭文秋 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣東墨睿科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C01B32/194 | 分類號(hào): | C01B32/194 |
| 代理公司: | 東莞科強(qiáng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44450 | 代理人: | 李林學(xué) |
| 地址: | 523600 廣東省東莞市道滘鎮(zhèn)萬道路*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 批量 轉(zhuǎn)移 石墨 烯至載網(wǎng)銅 襯底 裝置 方法 | ||
本發(fā)明涉及石墨烯技術(shù)領(lǐng)域,一種批量轉(zhuǎn)移石墨烯至載網(wǎng)銅襯底的裝置,包括由聚四氟乙烯制作的負(fù)載盤及負(fù)載盤底座;所述負(fù)載盤具有矩陣排列(線性矩陣或圓周矩陣)或無規(guī)則排布的載網(wǎng)銅襯底負(fù)載孔,所述負(fù)載孔的下部設(shè)置有與該負(fù)載孔同軸、直徑小于負(fù)載孔、貫通負(fù)載盤的導(dǎo)出孔;所述負(fù)載盤底座設(shè)置有與導(dǎo)出孔等量、同軸且相互匹配的支撐柱。一種批量轉(zhuǎn)移石墨烯至載網(wǎng)銅襯底的方法,包括以下步驟,在生長有石墨烯的銅箔表面旋涂PMMA溶液、固化、預(yù)刻蝕、刻蝕、漂洗、去膜;應(yīng)用本發(fā)明的裝置和方法,可以批量轉(zhuǎn)移石墨烯至載網(wǎng)銅襯底,操作簡便,可根據(jù)實(shí)際需求對(duì)轉(zhuǎn)移工藝和裝置進(jìn)行修改設(shè)計(jì)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及石墨烯技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種批量轉(zhuǎn)移石墨烯至載網(wǎng)銅襯底的裝置及方法。
背景技術(shù)
由碳原子以SP2雜化形成正六角形的石墨烯二維材料,是一種零帶隙結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料,具有高導(dǎo)電性(理論電子遷移速率~200000cm2/v.s)、高導(dǎo)熱性(理論熱導(dǎo)率~5000W/m.K)、低吸光率(~2.3%)、高比表面積(~2630m2/g)等優(yōu)異性能,在集成電路、功能材料、顯示器件、傳感器等領(lǐng)域存在巨大的應(yīng)用前景和商業(yè)價(jià)值。
目前,石墨烯制備的方法有:物理剝離法、外延生長法、氧化石墨烯還原法、金屬催化外延生長法、化學(xué)氣相沉積法等多種制備方法;化學(xué)氣相沉積法被認(rèn)為是最有前途的制備單層石墨烯的方法,其原理是在高溫氛圍下,碳?xì)浠衔铮淄椤⒁蚁┰谶^渡金屬(Cu、Ni)表面熱催化反應(yīng)生成單層或少層石墨烯,目前在銅箔上制備石墨烯的工藝較為成熟;銅箔上制備的石墨烯可通過溶液刻蝕過程除去金屬銅襯底,實(shí)現(xiàn)金屬生長襯底與石墨烯的分離,這有利于后續(xù)對(duì)石墨烯在不同襯底上的轉(zhuǎn)移、加工和應(yīng)用。
石墨烯轉(zhuǎn)移技術(shù)是一種將石墨烯從生長襯底轉(zhuǎn)移至目的負(fù)載襯底的一種物理轉(zhuǎn)移技術(shù);批量或巨量石墨烯轉(zhuǎn)移技術(shù)的成熟與否決定了后續(xù)石墨烯在各個(gè)領(lǐng)域的規(guī)模化應(yīng)用能否成功,所以批量石墨烯轉(zhuǎn)移技術(shù)至關(guān)重要;目前,石墨烯轉(zhuǎn)移技術(shù)領(lǐng)域仍缺乏成熟的批量轉(zhuǎn)移石墨烯的方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)上述市場需求而提供一種批量轉(zhuǎn)移石墨烯至載網(wǎng)銅襯底的裝置及方法。
本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣的:
一種批量轉(zhuǎn)移石墨烯至載網(wǎng)銅襯底的裝置,包括負(fù)載盤及負(fù)載盤底座;所述負(fù)載盤具有矩陣排列(線性矩陣或圓周矩陣)或無規(guī)則排布的載網(wǎng)銅襯底負(fù)載孔,所述負(fù)載孔的下部設(shè)置有與該負(fù)載孔同軸、直徑小于負(fù)載孔、貫通負(fù)載盤的導(dǎo)出孔;所述負(fù)載盤底座設(shè)置有與導(dǎo)出孔等量、同軸且相互匹配的支撐柱。
作為優(yōu)選,所述負(fù)載盤與所述負(fù)載盤底座貼合時(shí),支撐柱穿過導(dǎo)出孔和負(fù)載孔,支撐柱的頂面高出負(fù)載盤的負(fù)載面0.2-0.5mm,用于推出負(fù)載孔內(nèi)的載網(wǎng)銅襯底。
作為優(yōu)選,所述負(fù)載孔為圓形,負(fù)載孔直徑為(D+0.1)-(3/2D),其中D為載網(wǎng)銅襯底的直徑,當(dāng)圓形載網(wǎng)銅襯底直徑D=3mm,則負(fù)載孔直徑為3.1-4.5mm。
作為優(yōu)選,所述負(fù)載孔深度為0.5-5mm。
作為優(yōu)選,所述導(dǎo)出孔為圓形,導(dǎo)出孔直徑為(D-0.2)-(1/2D),其中D為載網(wǎng)銅襯底的直徑,當(dāng)載網(wǎng)銅襯底的直徑D=3mm,則導(dǎo)出孔直徑為2.8-1.5mm。
作為優(yōu)選,負(fù)載盤上設(shè)置有若干支架孔,支架孔貫穿負(fù)載盤,所述支架孔直徑不小于3mm,支架孔距離負(fù)載盤邊緣不小于2mm。
作為優(yōu)選,所述負(fù)載盤的兩側(cè)對(duì)稱設(shè)置有兩個(gè)支撐腳,支撐腳位于負(fù)載盤背面,呈半圓形狀,每一支撐腳的底面積不小于0.5cm 2。
作為優(yōu)選,所述負(fù)載盤底座設(shè)置有與負(fù)載盤支撐腳相互匹配的卡位。
作為優(yōu)選,所述負(fù)載盤和所述負(fù)載盤底座均采用耐酸堿材料(聚四氟乙烯或石英玻璃)制作。
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