[發明專利]一種具有低電阻和低光學損耗的玻璃及其制備方法有效
| 申請號: | 202010727573.X | 申請日: | 2020-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN111979520B | 公開(公告)日: | 2023-01-13 |
| 發明(設計)人: | 李佳明;姜良寶;李曉宇;顏悅;雷沛;潘興浩 | 申請(專利權)人: | 中國航發北京航空材料研究院 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/10;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/06;C23C14/20;C03C17/36;C08J7/044;C08J7/046;C08J7/06;C08L69/00;C08L33/12 |
| 代理公司: | 中國航空專利中心 11008 | 代理人: | 杜永保 |
| 地址: | 100095 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 電阻 光學 損耗 玻璃 及其 制備 方法 | ||
1.一種具有低電阻和低光學損耗的玻璃,其特征在于:所述玻璃由在透明基底材料(1)上依次鍍制的過渡層(2)、一個或多個疊加層、第二介質層(7)、減反層(8)、耐磨層(9)組成;
所述疊加層由第一介質層(3)、第一保護層(4)、導電層(5)、第二保護層(6)依次鍍制而成;
其中,第一介質層(3)為厚度為50-120nm的AZO薄膜,第一保護層(4)為厚度為1-2.5nm的NiCr薄膜,導電層(5)為厚度為5-10nm的Au薄膜,第二保護層(6)為厚度為1-2.0nm的NiCr薄膜,第二介質層(7)為厚度為30-100nm的AZO薄膜,減反層(8)為厚度為15-30nm的Nb2O5薄膜或SiO2薄膜,耐磨層(9)為厚度為50-200nm的C3N4薄膜或Si3N4薄膜;
所述疊加層與第二介質層(7)總厚度為90-300nm,其中第一介質層(3)與第一保護層(4)厚度之和大于第二保護層(6)與第二介質層(7)的厚度之和。
2.根據權利要求1所述的具有低電阻和低光學損耗的玻璃,其特征在于:所述AZO薄膜為Al2O3摻雜的ZnO薄膜,Al2O3摻雜比例為1%wt-2%wt。
3.根據權利要求1所述的具有低電阻和低光學損耗的玻璃,其特征在于:所述透明基底材料(1)為強化玻璃、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯;所述強化玻璃表面壓應力為500-900MPa,厚度為1.5-3.0mm;所述聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯的厚度為5-25mm。
4.根據權利要求1所述的具有低電阻和低光學損耗的玻璃,其特征在于:所述過渡層(2)選擇如下:
若透明基底材料(1)為強化玻璃,則過渡層(2)為SiO2或TiO2,厚度為10-20nm;
若透明基底材料(1)為聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯,則過渡層(2)為為丙烯酸、聚氨酯或者丙烯酸與聚氨酯的混合物。
5.根據權利要求1所述的具有低電阻和低光學損耗的玻璃,其特征在于:所述第一介質層(3)的厚度為50-80nm;所述第一保護層(4)的厚度為1.0-2.0nm;所述導電層(5)的厚度為8-10nm。
6.根據權利要求1所述的具有低電阻和低光學損耗的玻璃,其特征在于:所述第二保護層(6)的厚度為1-1.5nm;所述第二介質層(7)的厚度為40-65nm;所述疊加層與第二介質層(7)總厚度為90-200nm。
7.根據權利要求1所述的具有低電阻和低光學損耗的玻璃,其特征在于:所述減反層(8)的厚度為20-30nm;所述耐磨層(9)的厚度為50-150nm。
8.根據權利要求1所述的具有低電阻和低光學損耗的玻璃的制備方法,其特征在于:所述制備方法步驟如下:
步驟一、對透明基底材料進行表面清潔,后對清潔的透明基底材料進行表面預處理及活化;
步驟二、在預處理后的透明基底材料表面制備一層過渡層;
步驟三、通過直流脈沖磁控濺射鍍制疊加層:依次在過渡層上面鍍制第一介質層、在第一介質層上面鍍制第一保護層、在第一保護層上面鍍制導電層、在導電層上面鍍制第二保護層;
步驟四、通過直流脈沖磁控濺射在疊加層上面鍍制第二介質層;
步驟五、通過直流脈沖磁控濺射在第二介質層上面鍍制減反層;
步驟六、通過射頻磁控濺射在減反層上面鍍制耐磨層。
9.根據權利要求8所述的具有低電阻和低光學損耗的玻璃的制備方法,其特征在于:步驟一中采用異丙醇、石油醚對制備的強化玻璃、有機玻璃聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯進行表面清潔。
10.根據權利要求8所述的具有低電阻和低光學損耗的玻璃的制備方法,其特征在于:步驟一中利用等離子體對清潔的強化玻璃、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯進行表面預處理及活化。
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