[發(fā)明專利]一種塑封高壓硅堆有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010725718.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-07-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111816647B | 公開(公告)日: | 2022-06-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 伍志雄;劉文輝;許允亮;白朝輝;王維樂;智晶;李斐;行曉曦 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安衛(wèi)光科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L25/07 | 分類號(hào): | H01L25/07;H01L23/498;H01L23/31;H01L23/492;H01L21/60 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人: | 高博 |
| 地址: | 710065 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 塑封 高壓 | ||
本發(fā)明公開了一種塑封高壓硅堆,包括依次間隔設(shè)置的多個(gè)陶瓷覆銅,多個(gè)陶瓷覆銅按極性方向通過內(nèi)引線串聯(lián)連接組成蛇形結(jié)構(gòu)的硅堆組件,硅堆組件兩端的陶瓷覆銅分別連接對(duì)應(yīng)的螺紋電極,每個(gè)陶瓷覆銅上采用真空燒結(jié)方式設(shè)置有二極管管芯,二極管管芯通過鋁絲與內(nèi)引線連接。本發(fā)明通過采取新型工藝結(jié)構(gòu)硅堆,經(jīng)過新研制的產(chǎn)品,在封裝外形尺寸不變的基礎(chǔ)上,整體工作電流可提高至2~2.5A,提升了產(chǎn)品通電功率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種塑封高壓硅堆。
背景技術(shù)
硅高壓整流硅堆產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于航天、航空、船舶、兵器、電子等國防建設(shè)的各個(gè)領(lǐng)域;由于產(chǎn)品反向耐壓高,為保證電絕緣性能,硅堆器件目前主要是以環(huán)氧樹脂封裝為主。
傳統(tǒng)硅堆的工藝是采用將多只玻璃鈍化封裝二極管進(jìn)行串聯(lián)組堆,然后將點(diǎn)焊好的硅堆組件裝入澆鑄模具,進(jìn)行環(huán)氧灌封成型。產(chǎn)品結(jié)構(gòu)為將多個(gè)玻封二極管采用點(diǎn)焊工藝串聯(lián)成硅堆,再用環(huán)氧澆鑄成型,內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖1和表1所示,兩端的螺紋電極1之間通過21個(gè)串聯(lián)連接的3A玻封二極管2連接,并灌封環(huán)氧樹脂3。
表1傳統(tǒng)硅堆材料明細(xì)
傳統(tǒng)工藝的硅堆產(chǎn)品普遍耐壓為20~50KV,產(chǎn)品工作時(shí),由于二極管管芯發(fā)熱,受制于環(huán)氧封裝材料導(dǎo)熱差的原因,硅堆產(chǎn)品的正向通電電流較小,通電功率有限,耐壓為20~50KV硅堆的正向工作電流低于1A。
散熱面積有限,發(fā)熱點(diǎn)也較為集中,而且環(huán)氧樹脂屬于高絕緣性能材料,但散熱性能較差,受制于封裝體散熱因素的影響,整體產(chǎn)品的正向通電功率受限,當(dāng)產(chǎn)品進(jìn)行IF=2A的正向通電老化時(shí),會(huì)出現(xiàn)環(huán)氧塑封體的開裂現(xiàn)象,直接導(dǎo)致硅堆器件失效。因而傳統(tǒng)的硅堆其正向工作電流小于1A,正向通電電流小。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足,提供一種塑封高壓硅堆,以二極管單向?qū)щ娞匦詾榛A(chǔ),將多個(gè)二極管進(jìn)行串聯(lián)形成倍壓整流電路。
本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種塑封高壓硅堆,包括依次間隔設(shè)置的多個(gè)陶瓷覆銅,多個(gè)陶瓷覆銅按極性方向通過內(nèi)引線串聯(lián)連接組成蛇形結(jié)構(gòu)的硅堆組件,硅堆組件兩端的陶瓷覆銅分別連接對(duì)應(yīng)的螺紋電極,每個(gè)陶瓷覆銅上采用真空燒結(jié)方式設(shè)置有二極管管芯,二極管管芯通過鋁絲與內(nèi)引線連接。
具體的,每個(gè)陶瓷覆銅上串聯(lián)設(shè)置有兩個(gè)二極管管芯,二極管管芯上設(shè)置有硅凝膠。
進(jìn)一步的,真空燒結(jié)具體為:
在真空燒結(jié)爐中,采用第一焊料片將兩個(gè)二極管管芯與陶瓷覆銅進(jìn)行燒結(jié),再用鋁絲壓焊,將陶瓷覆銅上的兩只二極管管芯串聯(lián)連接;采取第二焊料片將鋁絲與陶瓷覆銅進(jìn)行真空燒結(jié)形成硅堆組件。
更進(jìn)一步的,第一焊料片按質(zhì)量百分比包括Pb∶Sn∶Ag=92.5%∶5%∶2.5%。
更進(jìn)一步的,第二焊料片按質(zhì)量百分比包括Pb∶Sn∶Ag=36%∶62%∶2%。
具體的,陶瓷覆銅的基材為96%Al2O3陶瓷,兩側(cè)均覆有厚度0.3±0.05mm的銅材料。
具體的,二極管管芯的電流為25~35A。
進(jìn)一步的,塑封高壓硅堆的工作電流為2~2.5A。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明至少具有以下有益效果:
本發(fā)明一種塑封高壓硅堆,將多只大電流二極管管芯與DBC板用真空燒結(jié)工藝形成DBC組件,再按照極性方向排列進(jìn)行焊接串聯(lián)形成硅堆組件,進(jìn)行環(huán)氧灌封成型,在保證封裝體積不變,保證高壓特性的基礎(chǔ),對(duì)硅堆內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行工藝結(jié)構(gòu)創(chuàng)新,以提高硅堆的通電功率能力。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西安衛(wèi)光科技有限公司,未經(jīng)西安衛(wèi)光科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010725718.2/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件





