[發明專利]半導體器件和半導體器件的制造方法在審
| 申請號： | 202010724793.7 | 申請日： | 2020-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN112018235A | 公開（公告）日： | 2020-12-01 |
| 發明（設計）人： | 康賜俊;單利軍;劉宇;邱泰瑋;王丹云;沈鼎瀛 | 申請（專利權）人： | 廈門半導體工業技術研發有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京樂知新創知識產權代理事務所(普通合伙) 11734 | 代理人： | 江宇 |
| 地址： | 361008 福建省廈門市軟件*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
半導體襯底；
位于所述半導體襯底上的底電極和頂電極；
位于所述底電極和頂電極之間的阻變層，所述阻變層具有可變電阻；
位于所述底電極和頂電極之間的抓氧層，所述抓氧層位于所述阻變層之上，所述抓氧層的上輪廓為具有特定曲率的曲線，所述頂電極覆蓋所述抓氧層。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述抓氧層中心的厚度大于所述抓氧層邊緣的厚度。
3.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：
在半導體襯底上依次沉積底電極組成材料、阻變層組成材料、抓氧層組成材料；
蝕刻所述抓氧層組成材料，使得抓氧層的上輪廓為具有特定曲率的曲線；
在所述抓氧層上方沉積頂電極組成材料；
圖案化所述底電極組成材料、阻變層組成材料、抓氧層組成材料、頂電極組成材料，形成底電極、阻變層、抓氧層、頂電極。
4.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，采用各向同性刻蝕工藝對所述抓氧層組成材料進行刻蝕，使得抓氧層的上輪廓為具有特定曲率的曲線。
5.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述抓氧層中心的厚度大于所述抓氧層邊緣的厚度。
6.一種半導體器件，其特征在于，包括：
半導體襯底；
位于所述半導體襯底上的底電極和頂電極；
位于所述底電極和頂電極之間的阻變層，所述阻變層中具有輪廓呈特定曲率的損傷區，所述阻變層具有可變電阻。
7.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述損傷區的中心的厚度大于所述損傷區的邊緣的厚度。
8.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：
在半導體襯底上依次沉積底電極組成材料、阻變層組成材料、硬掩膜組成材料；
在所述硬掩膜組成材料的表面涂上一層光阻，曝光所述光阻，并蝕刻所述硬掩膜組成材料的上半部分，使得硬掩膜的上輪廓為具有特定曲率的曲線；
繼續蝕刻所述硬掩膜組成材料，并在所述阻變層組成材料中留下損傷區，其中，所述損傷區的輪廓呈特定曲率；
通過蝕刻工藝去除所述硬掩膜組成材料，并在所述阻變層組成材料上沉積頂電極組成材料；
圖案化所述底電極組成材料、阻變層組成材料、頂電極組成材料，形成底電極、阻變層、頂電極。
9.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述損傷區的中心的厚度大于所述損傷區的邊緣的厚度。
10.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述繼續蝕刻所述硬掩膜組成材料，并在所述阻變層組成材料中留下損傷區，包括：采用各向異性刻蝕工藝，繼續蝕刻所述硬掩膜組成材料，并在所述阻變層組成材料中留下損傷區。
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