[發(fā)明專利]半導體封裝結構及其制造方法

在審

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• 申請日: 2020-07-24
• 公開（公告）號: CN112310004A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設計）人: 馬克·杰柏
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種半導體封裝結構，其包括：

第一半導體裝置，其具有有源表面；

重新分布結構，其與所述第一半導體裝置電連接；

第二半導體裝置，其結合到所述第一半導體裝置的所述有源表面及安置于所述第一半導體裝置與所述重新分布結構之間；及

多個導電組件，其位于所述第一半導體裝置的所述有源表面上及所述第二半導體裝置之外，其中所述第一半導體裝置通過所述導電組件電連接所述重新分布結構。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝結構，其進一步包括包封層，其密封所述第一半導體裝置，其中所述重新分布結構在所述包封層上。

3.根據(jù)權利要求2所述的半導體封裝結構，其中所述第一半導體裝置包含導電柱，所述第二半導體裝置包含導電柱，所述第二半導體裝置的所述導電柱直接接觸所述第一半導體裝置的所述導電柱。

4.根據(jù)權利要求2所述的半導體封裝結構，其進一步包括在所述重新分布結構的導電層上的電觸點。

5.根據(jù)權利要求2所述的半導體封裝結構，其進一步包括圍繞所述第一半導體裝置及所述第二半導體裝置的襯底。

6.根據(jù)權利要求5所述的半導體封裝結構，其中所述襯底包含無核心襯底，所述無核心襯底包含第一導電焊盤，所述第一導電焊盤鄰近所述包封層的第一表面且與所述重新分布結構電連接。

7.根據(jù)權利要求6所述的半導體封裝結構，其進一步包括在所述包封層的第二表面上的第一附加重新分布結構，所述第二表面與所述包封層的所述第一表面相對。

8.根據(jù)權利要求7所述的半導體封裝結構，其中所述無核心襯底包含第二導電焊盤，所述第二導電焊盤鄰近所述包封層的所述第二表面且與所述第一附加重新分布結構電連接。

9.根據(jù)權利要求7所述的半導體封裝結構，其中所述第一半導體裝置包含數(shù)字處理裝置，及所述第二半導體裝置包含解耦電容器，所述半導體封裝結構進一步包括安置于所述重新分布結構上的第三半導體裝置，其中所述第三半導體裝置包含存儲器裝置。

10.根據(jù)權利要求7所述的半導體封裝結構，其中所述第一半導體裝置包含數(shù)字處理裝置，及所述第二半導體裝置包含解耦電容器，所述半導體封裝結構進一步包括安置于所述第一附加重新分布結構上的第三半導體裝置，其中所述第三半導體裝置包含存儲器裝置。

11.根據(jù)權利要求7所述的半導體封裝結構，其進一步包括附加包封層，所述附加包封層密封所述第一半導體裝置及與所述第二半導體裝置一起密封在所述包封層中，所述附加包封層具有第一表面及與其所述第一表面相對的第二表面。

12.根據(jù)權利要求11所述的半導體封裝結構，其進一步包括第二附加重新分布結構，所述第二附加重新分布結構安置于所述附加包封層的所述第一表面上并且包含導電層，所述導電層進一步包含在所述第一半導體裝置的所述有源表面處的第一部分及在所述襯底上的第二部分。

13.根據(jù)權利要求12所述的半導體封裝結構，其進一步包括在所述導電層的所述第一部分上的第一導電支柱，用于在所述重新分布結構與所述第二附加重新分布結構之間進行電連接。

14.根據(jù)權利要求12所述的半導體封裝結構，其進一步包括在所述導電層的所述第二部分上的第二導電支柱，用于在所述襯底與所述第二附加重新分布結構之間進行電連接。

15.根據(jù)權利要求11所述的半導體封裝結構，其中所述第一半導體裝置具有比所述第二半導體裝置更小的間距。